65纳米就是干法 arf了 不是arfi. 多重曝光到达8 没有突破7 还需努力 下一步 达到ARFI 然后猛攻EVA

自力更生艰苦奋斗

光刻机高端芯片包括超算，我们现在都是只做不说。能公开的信息至少都是一两年前的数据。华为受到了全面制裁，依然能够生产出全球独有的3.6毫米超薄三折叠手机，里面的芯片有多高端？你们猜去吧。

套刻8是指上张与下张在机器上位置标记的误差值，而常说的7nm芯片是指片上栅格槽间的距离值，是两个概念。／工信部公布的机子确实不是高精度机，也可以做到28nm，但需多重爆光，良率比不会高，而且是干式机不是水浸机，但这两点都可以改动与提高，必竞基础有了后面的就容易多了。

现在国外的几纳米都是根据晶体管密度做等效来的，实际上金属栅距，好像这这个词吧，应该是21，22nm左右，这个是真正体现相邻间距的数据。现在国外宣传做的都是文字游戏。这是前几天一个大神给科普的

65纳米芯片可以直接造。8纳米的芯片需要进行多重曝光，勉强也可以造，但实际上良品率应该很低，成本极高，得不偿失。正常生产时应该只进行一次曝光，生产45纳米级别的芯片。用来生产28纳米的芯片时，成本就会明显提高，生产出来的产品就会缺乏市场竞争力，只能用来应应急，生产外国不卖给我们的军用芯片。

小于等于，说明至少是那个数值，至于要小于多少，要看工程师的水平了！

这个东西前两年已出来了，工信部官方只要能官宣，说明这项技术已成熟标准也不会低，7纳米没难度没问题

套刻就是多重曝光可以到8

原来一直说是90nm，现在前进了65nm ，这几年一直叫喊的28nm看来还没戏，可见技术难度之大，和ASML最起码差三代！

关键是，哪个国家可以独立完成，美，日，荷都不能独立制造

大家要明白，芯片竞争指的是高端芯片，也就是手机电脑和各种微型电子设备，与军事什么影响不大，争的是产业地位和经济利益，与生死存亡没什么关系。 换句话说，只要我们的光刻机造不出最高端的芯片，并且威胁不到市场，欧美就可以接受，也就是说，目前我们还在追赶，而作为产品，你想占领市场，你就必须超越才行。

这只是告诉对方卡脖子行不通。 但从商业角度，这玩意水平比别人差不少，只能通过牺牲良品率，增加成本勉强达到别人的一般水平。 也就是说，市场化行不通，只能救急。

说得对

65纳米经过多次就是8纳米了

这是2020年产品。

我看评论区解释的，全是外行，为什么都是业外人士关心这个事呢[捂脸哭]

65纳米

最难的是0-1 有了1 那1-1000都很快