全球十大芯片制造地：量产芯片最高制程 1.中国台湾： 台积电：3纳米（2纳米2025年） 华联电子：14纳米 2.韩国： 三星电子：3纳米（2纳米在研） SK海力士：10纳米 3.美国： 英特尔：7纳米（2纳米在研） 格芯：12纳米 4.中国： 中芯国际：7纳米（N＋1） 华虹半导体：28纳米 5.日本： 索尼：22纳米 佳能：5纳米（2025量产） 6.意大利/法国： 意发半导体：28纳米 7.荷兰： 恩智浦（飞利浦）：28纳米 8.德国： 英飞凌（西门子）：40纳米 9.以色列： 高塔半导体：65纳米 10.俄罗斯： 米克朗：90纳米