1.二极管串联 2.整流桥型 3.保险丝+稳压二极管 4.低内阻MOS管（NMOS & PMOS）
电源的正负极一旦接反，就会导致很多电子元器件烧毁，其中主要的缘由是因为电流过大导致器件被击穿，因此实际应用中必须采取防止
理论上来讲，上P下N型明明更有优势，为什么实际应用中推挽电路用的是上N下P型?左为上P下N，右为上N下P这是上N下P 型
自举式电路在高电压栅极驱动电路中是很有用的。当 VS 降低到 IC 电源电压 VDD 或下拉至地时，（低端开关导通，高端
我们知道MOS管G-S是高阻抗，这也是为什么它是 ESD敏感器件的原因。
在实际应用中，MOS管常常存在各种漏电流，这使得它严重减少了低功耗设备电池的使用寿命，以及在一些sh电路中，限制了信号保
如何利用MOS管建立分立式逻辑电路
IGBT在栅极和发射极之间加入正电压就可以进行导通。不过，这个正电压至少需要高于阈值电压。如果栅极和发射极之间的电压低于
早期时候的工艺仅仅支持NMOS来实现逻辑功能。如今采用NMOS+PMOS，是因为MOS管的占据面积远远小于电阻的面积，并
增强型MOS和耗尽型MOS有什么区别？
之前VBsemi发表过一篇《为什么开关电源几乎选增强型NMOS作为开关？》提到了实际应用中我们经常使用的是增强型的MOS
继PMOS，来看看NMOS的防反保护电路有何不同
简单的栅极驱动电路设计，我们会使用NMOS来作防反电路，原因是成本较低。PMOS一般会放置在电路的高边，NMOS则是在低
宽禁带半导体：聊聊碳化硅（全是干货！）
为什么开关电源应用中，几乎都是选择增强型NMOS来作为开关？
为什么三极管基极和发射极要并联一个电阻？
对于这个问题，VBsemi小编在网上查询了部分回答，基本都是可以让三极管“可靠截止”“均流”“限流”的回答。今天VBse
在实际应用中，开关电源或者控制电路设计中，几乎使用的是使用增强型的N-MOSFET来作为开关，这是为什么呢？今天我们围绕
自举电路——MOS管电路驱动设计
车载充电器（OBC）车载充电器是电动汽车电源系统的重要组成部分，它具有对电动汽车动力电池安全、自动充电的能力。一般分为单
签名：致力服务于中高端市场电子产品的终端制造商
