之前VBsemi发表过一篇《为什么开关电源几乎选增强型NMOS作为开关？》提到了实际应用中我们经常使用的是增强型的MOSFET。

那常常被忽略的耗尽型呢？就没有其它作用了吗？

我们先来了解耗尽型有什么不同。

功率MOSFET分为耗尽型（DM）和增强型（EM）两种，两者主要在于导电沟道的区别，两者的控制方式不同。

耗尽型MOS管的G端在不施加电压时就会有导电沟道的存在，增强型MOS管则相反，只有在开启后，才会出现导电沟道，它的Vgs必须大于栅极阈值电压才行。

耗尽型MOS管的Vgs（栅极电压）则可以正、零、负电压控制导通。若要使漏极和源极不导通，则需要在栅极处施加一定的负电压，通常会把耗尽型MOSFET理解成一种“常闭开关”。

与增强型MOS管不同，耗尽型MOS并不用于高频应用。

除了线性的MOSFET以外，增强型器件并不能工作在线性型，然而，耗尽型器件却具有扩展的FBSOA（正向偏置 安全工作去），因此能够工作在线性型下。

耗尽型MOSFET产品一般可以应用在传统的启动电路、线性电压调节器的浪涌保护、恒流源、高压斜坡信号发生器、固态继电器等应用中。

我们拿传统的启动电路和线性电压调节器，两者来简单说明：

传统的电阻式启动电路

传统的启动电路多采用功率电阻直接给PWM控制IC供电，但是在电源启动后，电阻会持续消耗功率，造成大量的损耗。我们上面提到了耗尽型MOSFEY属于常闭器件，因此在待机零功耗的要求下，耗尽型MOSFET成为了不二之选。

传统电阻式启动电路

当栅-源电源Vgs=0V时，器件沟道自然开通，电路启动后，通过耗尽型MOS管给PWM控制IC供电，电流再经过耗尽型MOS给C1充电，C1电压持续上升，直至PWM IC开始进行工作。

之后，再由附加绕组给PWM控制IC供电，此时通过ASU端口将耗尽型MOS的栅极下拉至低电平，耗尽型MOS的栅-源极电压Vgs大于其关断电压Vgs（off），随后耗尽型MOS关断，之后电路再无电流经过，不再产生功率损耗。

2.线性电压调节器的浪涌保护

线性电压调节器为小型模拟电路，CMOS IC 或其他任何需要低电流的负载提供电源，其输入电压Vin直接来自母线电压。这可能会出现很大的电压变化，包括由于应用环境造成的电压尖峰。

耗尽型MOSFET在线性电压调节器电路中实施浪涌保护，它采用源极跟随器配置连接，而源极上的电压将跟随栅极上的电压变化。耗尽型MOSFET的导通仅仅取决于栅极电压，与漏极电压无关。

这种配置一般是为了减少电压瞬变，直到达到器件额定电压Vds的耐受能力。这是基于耗尽型MOSFET具有宽泛的直流工作电压范围Vin，以及能够借助低静态电流去实现最小功耗。

这样的保护功能能够用于通信应用，以减少浪涌造成的瞬变影响，也可用于汽车或者航空电子应用，减少由电感负载引起的瞬变。

不过，耗尽型分N沟道和P沟道，在制造NMOS在SiO2绝缘层处掺有大量的Na+或者K+正离子，在制造PMOS里掺入了负离子，当Vgs=0时，正离子产生的电场可以在P型衬底中感应出足够的电子，然后形成N型的导电沟道。

当Vgs>0时，将产生较大的ID（漏极电流）；当Vgs<0时，它将削弱离子所形成的电场，使N沟道变窄，ID电流减少。

这使得在实际应用使用耗尽型MOS管时，当设备开机时可能会误触发MOS管，导致整机失效，不易被控制，这也就是为什么耗尽型MOSFET其应用极少的原因。