ASML之所以能够超越尼康、佳能等老牌光刻机巨头，实际上是西方势力为推动芯片制造行业寡头格局的形成，并实现全球芯片技术垄断的结果。

所以想要学习甚至赶超ASML的技术，他们打心眼里就排斥。

全套图纸给我们也造不出光刻机？

早起我国派专家到海外拜访并参观光刻机时，海外专家听完我们的见解之后一顿嘲讽“把全套图纸给中国都没办法造出来”！而这些年ASML面对美荷日“三方协议”，也就是禁止EUV等中高端光刻机进入大陆市场的条款时，还强调中国在全球半导体产业链中的关键地位。

ASML之所以有这种“分列式”想法，一方面它不愿失去中国庞大的市场；另一方面，它也不希望自己的技术被其他竞争者赶超。而面对铁一般的“禁令”，就连人民日报都下场发话“核心技术必须放弃任何幻想，自主研发才是王道”！

这些年，我国不仅在光刻机核心系统方面取得了重重突破，90nm光刻机实现量产，28nm光刻机通过了技术认证，中科院还公布了EUV光源工程样机。Mate60、70、P70系列手机的发布，核心零部件高度国产化，也印证了我国在光刻机领域的发展进度。

尽管如此，近期ASML CEO却依旧表示，即便有DUV光刻机，技术与台积电、英特尔、三星等企业相比仍然落后10—15年！

显然，ASML CEO说这句话，就是想要警告中企：光刻机难度太大，不要在光刻机领域挑战ASML的地位，也不要在芯片制造领域挑战台积电、三星、英特尔的地位。

哈工大公布关键消息

值得注意的是，哈工大一则关键信息传出，ASML的计划要落空了！

近期，哈工大公布了一箱关键信息，内容显示，哈工大航天学院赵教授研发的“放电等离子机子外光源”获得大赛一等奖。项目介绍时提到，该技术具有能量转换效率高、造价较低、体积小、技术难度相对较低等优势，而且能够提供13.5nm波长的极紫外光，完全能满足极紫外（EUV）光刻对光源的迫切需求。

对此外媒表示：发展太快了！

这项研究的意义有多大？

EUV光源的核心子系统有三个，分别是物镜、双工件台，还有光源。

双工件台方面，国内的华卓精科自主研发的双工件台已经可以完全满足ASML EUV光刻机的标准。

物镜方面，中科科仪旗下的中科科美研制的直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置前几年前就已经投入使用，使用该设备制备的物镜薄膜精度控制在0.1nm以内，实现了纳米量级万层镀膜工艺。

所以光源的问题，则成了光刻机的最后一块拼图！

此前长春光机所制造的EUV光源，是通过激光等离子体的方式获取，这但和ASML EUV光源类似，通过激光照射靶材，使靶材局部加热蒸发形成等离子，通过离子能级间的跃迁获得13.5nm波长的EUV光线，这种方式效率高、成本高。

如今西工大研发的放电等离子体与ASML用到的方式不同，放电等离子体通常利用电场产生较为广泛的高温等离子体，通过电流激发靶材释放EUV辐射。这种方式结构简单、成本低。

也就是说，在EUV光源方面，我国已经具备两套方案，并且两套方案各有优势，就像成飞和沈飞一样，可以为光刻机的发展提供两条发展路线。可见当下与芯片规则刚落地时的局面已截然不同。

而按照我国当下科技产业的发展速度，用不了多久，西方垄断整个半导体市场的格局就要被打破！

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