哈工大高端光刻机立新功,国产7nm芯片及以下EUV光源技术,取得突破,哈工大EUV项目,获得一等奖,黑龙江高校成果转化的重大项目,主导EUV赵永蓬教授称:EUV光源项目,采用放电等离子体技术,成功获取中心波长为13.5纳米的极紫外光(EUV)。
这种EUV光源,是荷兰阿斯麦尔(AMSL)光刻机的核心技术,通过多重曝光工艺,可生产7nm,5nm等高端芯片,打破欧美半导体产业对中国的联合封锁。
哈工大高端光刻机立新功,国产7nm芯片及以下EUV光源技术,取得突破,哈工大EUV项目,获得一等奖,黑龙江高校成果转化的重大项目,主导EUV赵永蓬教授称:EUV光源项目,采用放电等离子体技术,成功获取中心波长为13.5纳米的极紫外光(EUV)。
这种EUV光源,是荷兰阿斯麦尔(AMSL)光刻机的核心技术,通过多重曝光工艺,可生产7nm,5nm等高端芯片,打破欧美半导体产业对中国的联合封锁。