英飞凌推出世界上最薄晶圆，厚度为20微米，仅为人头发丝的四分之一，目前普通晶圆厚度在40到60微米。将晶圆的厚度减半的好处是可将晶圆的衬底电阻降低50%，将电源系统的功率损耗降低15% 以上。衬底是晶圆的基础层，晶体管等元件建在这个基础层上，晶体管等半导体器件中的电流通过衬底材料流动，衬底电阻很低，电流就会更容易流动，晶体管等半导体器件的性能就会更好。 将芯片固定在晶圆上的金属堆栈厚度一般超过20微米，这会影响晶圆背面的处理和加工，后期的晶圆弯曲和晶圆分离也会受到影响。为此，英飞凌通过独特研磨方法解决了20微米技术处理难题 超薄晶圆非常适合面向人工智能数据中心的功率芯片。AI数据中心的芯片必须将电压从230V降低到 1.8 V 以下，超薄晶圆能够实现芯片的垂直供电设计，这种设计基于垂直沟槽MOSFET 技术，允许与芯片处理器非常紧密地连接，从而降低功率损耗并提高整体效率。 英飞凌将于11 月12日至15日在慕尼黑举行的2024 年慕尼黑电子展上公开展示这款超薄晶圆。 技术力量认为，英飞凌这家半导体公司在全球经济增速缓慢、主要市场需求疲软的世道下，表现还是相当稳健。研发出世界最薄晶圆表明其在材料科学与制造工艺上的深厚技术积累，尽管目前的晶圆厚度也完全够用，但提前布局超薄晶圆展现了这家1999年成立的德国半导体企业前瞻性视野和落地能力：其产品不只是为了满足市场需求，更是在引领未来需求，助力人工智能和数据中心领域迈向更高效、环保的方向。 信息来源： #科技##芯片##英飞凌#
