就这个工信部新出的光刻机这个名录问题，我咨询了很多懂行的朋友。实际上呢，套刻精度8纳米是指允许有8纳米误差，实际上应该是28纳米制程，这个干式光刻机呢，也就相当于阿斯麦2004年的技术水平！虽然不是真正意义上的8纳米，可你们要知道，这可是咱们独立研发制造出来的，全球能拍胸脯说可以独立制造的，恐怕只有我兔了！别小看了100%国产化这句话，也别怀疑咱们的战略协调能力，论独立制造，老美也不行！虽然他可以整合自己的光源，外加德国的镜片、瑞士的机床…… 而且，说句吹牛的话，现在咱们这个可以生产28NM的，重复曝光可以生产14NM的，也就是70%的芯片生产完全不受美国控制了。干式以后，下一步湿式的，可以生产7-14NM的，再下步就EUV了，也有专家乐观估计，如果不出意外，十年以后，中国完全自主掌控全部芯片设计、生产。也就是说，让老美和阿斯麦先跑十年，反正现在也到极限了，10年以后，咱们也登上华山之巅了！ 当然，依咱们一贯保守的做法，现在的科技实力可能不止向外公布的这个28纳米的段位，所以说，也许五年？8年后咱们就到达山顶了！
光刻机的发展目前基本到了极限，我们要做的就是不断的逼近极限，万事开头难，现在是28，以后就是14-7-5-3慢慢攻克，支持国产，相信国产！！！
在光刻机上突破，意义不是特别巨大。要想巨大，还得有新概念，比如说碳基，比如说光子
误差8nm[得瑟]你好懂哦。
不是给图纸都造不出吗？
不懂就别bb蹭流量
套刻精度并不等于制程，小编连这个都没搞清
国家安全局透露现在间谍正穷尽手段刺探中国半导体行业机密。
一直研发到世界第一！
咱能自己搞光刻机了，高兴归高兴，但是小编不要继续忽悠无知民众！甭管你多少次曝光，套刻精度8纳米，意味着14纳米就只能保证上下层对位重叠(overlay)部分只有能保证6-14纳米。加之关键尺寸均匀性(CDU)，就算最佳工艺条件，保证线宽10%误差(bias)，那就还剩5.4-14纳米重叠，再加入掩模版套刻误差和线款误差，最苛刻就算放宽到15%，那只剩下4.5纳米-14纳米重叠！你还得考虑硅片工艺中各种误差因素，再放一个最小可能10%，只剩下4-14纳米重叠，也就是意味着，一条腿只剩一层皮拉着，在电路板上，这叫虚焊！所以，不懂不要瞎扯误导百姓白开心！
两年后euv
谁说的中国半导体只能生产≤8㎜的？2年内，EUV必出！
无所谓，现在的也能用，在俄乌战争上多做点事，耗死西方才是上策
EUV是明年年底
狗屁不懂还来发文章钓鱼