Si的还原性强于C，是因为Si原子半径大于C，壳层电子受到核电荷力的约束比较小，从而更容易失电子，所以还原性更强。
碳还原二氧化硅的产物为CO，而不是CO2，与还原性的强弱关系不会发生矛盾。注意该反应是高温干态的反应，符合“高沸点物质制取低沸点物质”的原则，C的沸点高于Si，低沸点物质Si生成以后会气化脱离反应体系，不断脱离会使反应持续进行下去，直至耗尽。。
Si的还原性强于C，是因为Si原子半径大于C，壳层电子受到核电荷力的约束比较小，从而更容易失电子，所以还原性更强。
碳还原二氧化硅的产物为CO，而不是CO2，与还原性的强弱关系不会发生矛盾。注意该反应是高温干态的反应，符合“高沸点物质制取低沸点物质”的原则，C的沸点高于Si，低沸点物质Si生成以后会气化脱离反应体系，不断脱离会使反应持续进行下去，直至耗尽。。