如何降低推挽电路的交叉失真?

VBsemi微碧半导体 2024-05-23 14:16:31

如何降低推挽电路的交叉失真?

我们知道推挽电路有多种类型,比如A类或者B类两种放大器,B类放大器是实际应用中的一种,它的效率高于A类,但是它通常会受到交叉失真的影响。

那它是如何影响的?要如何降低呢?

当信号在0V时失真,晶体管会在基极 - 发射极结处提供 0.7v 的电压才打开。当交流输入电压施加到推挽放大器,它从0开始增加,直到达到了0.7V,晶体管保持关断,没有任何输出。

那为什么当 VIN达到零时会发生交越失真?(B类放大器)

事实上,晶体管Q1和Q2不能进行同时导通,如果Q1导通, V IN必须大于 Vout,而Q2导通,Vin 必须小于 Vout,如果 V IN等于零,则 Vout 也必须等于零。

当 VIN从零开始增加时,输出电压 Vout 也会保持为零。直到 V IN小于0.7V,输出电压呈现死区,当 V IN从零开始下降时也会发生同样的情况。

如何降低推挽晶体管电路的交叉失真?

可以通过使用两个在晶体管位置导通的二极管来校正,也就是AB 类放大器电路。

它利用两者的特性,从 0V 到 0.7V,二极管偏置在导通状态,弥补射极跟随器的 0.7 V 损失,这时的晶体管在基极没有信号,也就解决了交叉失真问题。

此外,还可以通过降低电阻阻值来实现。

这是因为,电阻RB1控制D1电流,RB1越小电流越大,也就是说二极管的电压越大,所以当无输入信号时 Vbe 就会越大。这种增加的偏差也会进一步减小失真。

不过,具体应用情况还是以实际电路设计为主。

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