储能系统成本主要由电池和逆变器构成，两者合计构成电化学储能系统成本的80%，其中储能逆变器约占20%。IGBT绝缘栅双极型晶体管作为储能逆变器的上游原材料，决定了储能逆变器的性能。

在实际项目中，IGBT已逐渐取代MOSFET作为光伏逆变器和风力发电逆变器的核心器件。新能源发电行业的迅速发展将成为IGBT行业持续增长的全新动力。

目前我国是全球最大的IGBT需求市场，需求量约占全球市场的40%，且需求占比有望持续提升。

潮电智库整理出了2024年储能逆变器IGBT厂商TOP10，由于优秀企业过多，欢迎未上榜企业联系潮电智库数据研究部门。

尽管本土产量增速高于需求增速，但供需缺口绝对量仍有较大空间，仍以进口为主。其中主要原因是我国功率器件整体的技术水平相对较低，产能主要集中于中低端产品范围。在IGBT等新型功率器件这一类高技术、高附加值的中高档产品领域中。

不过随着2014年，中国8英寸IGBT专业芯片线投产后，也打破了国外在高端IGBT芯片技术上的垄断。同时，因中国政策推动及市场牵引，使得IGBT国产化的进程加快。其中，中国代表企业有华润微、士兰微、扬杰科技、宏微科技、比亚迪半导体、新洁能、捷捷微电、斯达半导体、苏州固锝、积塔半导体、芯未半导体等。

总而言之，中国企业在国家政策的大力扶持下，加大研发投入，积极突破IGBT芯片设计、制造及封装测试等关键技术，逐步实现从依赖进口到自主可控的转变。