在人工智能和高性能计算领域，技术快速发展和需求激增导致对高带宽内存的市场需求大幅上涨。HBM芯片因其卓越的数据传输速度和能效，成为满足这些高计算需求的关键组件。近期，英伟达首席执行官黄仁勋在一次会议中，要求将HBM4芯片的供应提前6个月，以满足其不断增长的需求。此举再次凸显了HBM芯片市场的供需矛盾。

三星电子将于近期发布其第三季度初步业绩报告。尽管具体各业务部门的数据尚未公开，但预计三星电子的半导体部门——设备解决方案部门将贡献超过一半的业绩。

18家证券公司的平均预测显示，三星电子第三季度的销售额和营业利润分别为80.7849万亿韩元（约621.4亿美元）和10.357万亿韩元。其中，存储器业务预计销售额在2万亿至24万亿韩元之间，营业利润为5.2万亿至6.3万亿韩元。

相比之下，SK海力士第三季度的销售额和营业利润预计分别为18.1262万亿韩元和6.7679万亿韩元。若这些预测准确，SK海力士与三星电子DS部门的营业利润差距预计将在4000亿至1.5万亿韩元之间。

这一增长主要得益于HBM需求的增加，而SK海力士是最早推出下一代DRAM的公司之一。

人工智能技术的发展是推动SK海力士可能超越三星电子的重要因素。由于HBM的价格高于普通DRAM，这对提升公司的盈利能力起到了关键作用。

截至今年第二季度，SK海力士的营业利润率为33%，而三星电子为22.6%，这使得SK海力士在利润率方面领先。

SK海力士向全球领先的半导体公司Nvidia交付了业界首款8层HBM3E之后，近期又开始量产首款12层HBM3E。公司计划在年内开始供应12层HBM3E，进一步加强其市场地位。

“这已经成为一个问题”Samavedam说，“全球只剩下SK海力士、三星和美光三家DRAM制造商。HBM也需要先进封装。你需要中介层，但能做到这一点的公司并不多。从本质上讲，台积电在HBM的基板上晶圆上芯片系统封装和中介层方面占据主导地位。下一步，我们希望Intel Foundry能在先进封装领域加强竞争。”

今年4月，SK海力士与台积电签署协议，共同开发和生产下一代HBM，并加强逻辑与HBM的整合。当时，SK海力士表示将着手开发HBM4，并于2026年开始生产——这比Jin为HBM4设定的2025年新目标晚了一年。

SK海力士计划在HBM4的基础芯片上采用台积电的先进逻辑制程，这样就可以在有限的空间内容纳更多的功能，帮助SK海力士针对更广泛的性能和能效要求客制HBM。

英特尔表示，该公司生产HBM产品已有一段时间。

“我们与所有主要的HBM供应商合作，先进封装是Intel Foundry系统代工方法的关键支柱。”英特尔表示“我们与台积电略有不同，我们会整合来自所有代工厂的芯片，而不仅仅是我们自己的芯片。”

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