近日，三星电子宣布暂停了其位于韩国平泽的P4和美国泰勒市的Plant 2半导体工厂的建设计划，这一消息迅速引发了全球半导体行业的广泛关注。据韩媒DigitalDaily报道，三星不仅停止了上述两个工厂的建设，还推迟了相关设备和设施的订购活动，显示出公司在半导体投资上采取了更为保守的态度。

据韩媒报道，三星已经停止了韩国平泽P4、美国泰勒半导体工厂建设计划。根据三星的官方声明，公司正在重新评估其全球生产和运营策略，以应对当前全球半导体市场的不确定性。

三星表示，此次决策是出于对未来市场需求的审慎考虑，以及对半导体行业盈利能力的深入分析。原本三星计划在美国投资440亿美元，建设两个半导体工厂和一个先进封装研发中心，并已经获得了64亿美元的政府补贴。

然而，在全球经济衰退、内存半导体市场需求减少以及晶圆代工市场竞争激烈等多重因素影响下，三星决定暂时搁置这些雄心勃勃的建设计划。

具体而言，三星平泽P4工厂原本设计为同时容纳内存和晶圆代工生产，是三星全球最大规模的半导体工厂之一。该工厂的建设原计划分为四个阶段进行，但目前已确认第二至第四阶段的工程将全面延后，相关设备和基础设施的发包工作也一并暂停。

与此同时，三星在美国泰勒市的Plant 2晶圆厂也遭遇了类似的命运。原本计划专注于4nm和2nm工艺技术的大规模生产，以及一个先进的封装设施，但现在这些项目都被迫按下暂停键。

业内人士分析认为，三星此次暂停建设计划的背景是全球半导体市场的不确定性和获利问题。随着全球经济衰退的加剧，内存半导体市场的库存过剩问题愈发严重，导致市场需求低迷，利润空间受到严重挤压。

此外，晶圆代工市场的竞争也日益激烈，尤其是在高端技术领域的争夺中，三星面临着来自台积电、英特尔等竞争对手的强大压力。

三星全球晶圆代工厂投资建设计划面临比最初预期更多的延迟。主要担忧源于三星不确定其先进制程能否在由台积电等行业领导者主导的激烈竞争市场中竞争，这一挑战促使三星修改计划，延迟晶圆代工厂的建设和设备采购。

三星扩建中的主要晶圆代工项目包含韩国的P4工厂和美国德州泰勒工厂，这些工厂最初旨在处理先进工艺节点的量产，包括4nm、3nm甚至2nm技术。

在韩国方面，依据三星原先规划，平泽 P4 工厂2022 年开始建设，最初设计为与 P3 工厂类似的多用途设施。第一阶段生产 NAND Flash，第二阶段用于晶圆代工生产，第三和第四阶段用于生产 DRAM。

不过，由于市况变化，三星传出后续将第二阶段晶圆代工产线转为HBM与NAND Flash生产。

业界说，三星对P4工厂的原计划是先建设内存产线（一期），再建设晶圆代工产线（二期），后续计划再建设内存产线（三期与四期）以完成P4工厂。但传出该公司已调整计划优先建设内存产线。

免责声明：

1、本号不对发布的任何信息的可用性、准确性、时效性、有效性或完整性作出声明或保证，并在此声明不承担信息可能产生的任何责任、任何后果。

2、 本号非商业、非营利性，转载的内容并不代表赞同其观点和对其真实性负责，也无意构成任何其他引导。本号不对转载或发布的任何信息存在的不准确或错误，负任何直接或间接责任。

3、本号部分资料、素材、文字、图片等来源于互联网，所有转载都已经注明来源出处。如果您发现有侵犯您的知识产权以及个人合法权益的作品，请与我们取得联系，我们会及时修改或删除。