三星的2nm工艺节点将比3nm增加30%的极紫外（EUV）层数。消息人士称，三星的3nm节点有20个EUV层，但2nm的EUV层数已增加到26层。
他们补充说，三星的1.4nm工艺预计将于2017年开始生产，预计将有超过30个EUV层数。
三星于2018年首次在其7nm逻辑工艺节点上应用EUV。从那时起，随着每次迁移到5nm和3nm，三星都会增加芯片生产过程中的EUV层数或EUV工艺步骤数。
晶圆代工厂正在竞相从ASML购买更多EUV光刻机，以用于其先进节点。据报道，台积电计划在2025年之前订购65台EUV光刻机。
三星有望在 2025 年生产 2nm 芯片全球第二大芯片制造商三星代工厂宣布，预计将在 2025 年生产 2nm 半导体芯片，并在 2027 年生产1.4nm芯片。该公司在第七届三星代工论坛 2023 活动上宣布其工艺技术路线图时透露了这一信息。
发布会期间，这家韩国公司还发布了有关其 2nm 芯片制造技术的更多信息。
根据该公司的说法，SF2（三星代工厂2nm）将于 2025 年向客户提供。这种制造技术在时钟速度和复杂度相同的情况下，能效提高了 25%。与今年早些时候开始生产的第二代 3nm 芯片相比，它的性能提高了 12%，芯片面积减少了 5%。为了让 2nm 芯片更具吸引力，三星代工厂将提供将该技术集成到各种芯片设计中的方法，包括 LPDDR5X、HBM3、PCIe Gen 6 和 112G SerDes。
三星的2nm芯片（SF2）之后将推出第二代2nm级半导体芯片制造工艺，即SF2P（Samsung Foundry 2nm Performance）。这些芯片将针对高性能计算进行优化，并将于2026年上市。2027年，该公司将推出用于汽车芯片的SF2A（Samsung Foundry 2nm Automotive）。
该公司的2nm级芯片将与台积电的2nm制造技术同时向客户推出。因此，看看AMD、Apple、联发科、Nvidia 和高通等大牌芯片客户会选择哪种工艺将会很有趣。英特尔的2nm级芯片制造工艺20A将于2024年推出。
三星电子总裁兼代工业务负责人崔时永博士表示：“三星代工始终走在技术创新前沿，以满足客户需求。今天，我们相信，我们基于全栅环 (GAA) 的先进节点技术将有助于满足使用 AI 应用的客户的需求。确保客户的成功是我们代工服务最核心的价值。
引领半导体技术新纪元三星当前3nm工艺节点已拥有20个EUV层，而在即将问世的2nm工艺节点上，EUV层数将增加至26层。这一变化不仅仅是一个数字上的增长，它背后所蕴含的是三星在半导体制造技术上的深厚积累与不断创新。EUV层数的增加意味着芯片内部可以容纳更多、更复杂的电路结构，从而进一步提升芯片的性能与功能集成度。
三星2nm工艺的这一突破，无疑是对当前半导体技术极限的一次有力挑战。随着工艺节点的不断缩小，半导体制造商们面临着越来越多的技术难题，如光刻精度、材料选择、热管理等问题。而三星能够在这一领域持续取得突破，不仅展示了其在半导体制造领域的强大实力，更为整个行业树立了新的标杆。
值得一提的是，三星并未止步于2nm工艺。根据消息人士的透露，三星的1.4nm工艺预计将于未来某个时间点开始生产，并且预计该工艺节点将拥有超过30个EUV层数。这一展望不仅让人对三星未来的半导体技术充满期待，更预示着全球半导体产业将迎来一个更加精彩纷呈的发展时期。
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