据韩国媒体businesskorea报道，存储大厂SK海力士副总裁柳成洙8月19日在出席“SK集团利川论坛2024”上公布了SK海力士在HBM领域的战略方向：即开发一款性能比现有HBM高出数十倍的产品。 报道称，SK海力士的目标是开发性能比当前HBM提高20到30倍的产品，重点是推出差异化产品。柳成洙在论坛上强调，SK海力士将专注于通过先进的执行能力，以面向AI人工智能领域的内存解决方案来应对大众市场。 七巨头提出HBM定制化需求 在人工智能AI的快速发展推动下，高性能HBM内存需求不断增长，也因此受到全球高科技公司的关注。据柳成洙透露，苹果、微软、谷歌Alphabet、亚马逊、NVIDIA、Meta和特斯拉等全球七大科技巨头都曾与SK海力士接洽，希望后者能为其提供定制化的HBM解决方案。 与现有的HBM产品相比，定制化HBM可以在PPA（性能、功率、面积）等方面为客户提供更多选择，从而带来更显著的价值。例如三星认为，通过将HBM内存和客户定制型逻辑芯片进行3D堆叠，可以大幅减少半导体的功率和面积。 对于HBM向定制化方向转变这一趋势，市场研究机构集邦咨询认为，未来HBM产业将转为更客制化的角度发展，相比其他DRAM产品，在定价及设计上，更加摆脱一般型DRAM的框架，呈现特定化的生产。 SK海力士CEO郭鲁正亦认为，随着HBM4的不断推进，定制化需求将不断增加，并有望成为全球趋势，且转向合约化，与此同时，存储器市场供过于求的风险也将逐步降低。 事实上，随着人工智能AI的兴起，HBM市场正逐渐从“通用型”向“定制化”市场演进。而未来随着速率、容量、功耗、成本等方面进一步实现突破，HBM也有望在人工智能领域再次大展拳脚。 定制HBM，HBM4世代照进现实 当前，针对HBM4，各买方已经开始启动定制化要求，而为应对客户提出HBM定制化需求，SK海力士和三星电子都各自有了应对之法。 当前，SK海力士正在与台积电合作开发第六代HBM产品（即HBM4），预计2026年投产。此前，包括第五代HBM产品HBM3E在内，SK海力士的HBM都是基于公司自身制程工艺制造的基础裸片，不过从HBM4产品开始，SK海力士计划采用台积电的先进逻辑工艺，由此有望大幅提升HBM产品性能。另外，若在基础裸片采用超细微工艺还可以增加更多的功能。 SK海力士表示，借由上述两大工艺的升级，公司计划生产在性能和功效等方面更加出色的HBM产品，从而满足客户对定制化HBM产品的需求。 柳成洙认为，随着定制产品需求的增加，存储行业即将迎来范式转变的临界点，SK海力士也将持续利用这些变化带来的机会发展其内存业务。 而三星电子作为全球排名前列的IDM半导体公司，同时具备晶圆代工、存储器与封装能力，目前也正在积极推动HBM定制化AI解决方案。 今年7月，三星电子存储部门新事业企划组组长Choi Jang-seok在“三星晶圆代工论坛”上表示，计划在HBM4世代为客户开发多样化定制HBM内存，并宣布将与AMD、苹果等主要客户合作。 Choi Jang-seok指出，HBM架构正在发生巨大变化，许多客户正在从传统的通用HBM转向定制产品。三星电子认为，定制化HBM将在HBM4世代成为现实。