光芯片是实现光电信号转换的基础元器件，相较于集成电路展现出更低的传输损耗、更宽的传输带宽、更小的时间延迟以及更强的抗电磁干扰能力，有望带动半导体产业变革式发展，有力支撑新一代网络通信、人工智能、智能网联汽车等产业高质量发展。 近日，广东省政府公安厅印发《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案（2024—2030年）的通知》（以下简称“《行动方案》”）。 《行动方案》提出，为加快培育发展光芯片产业，力争到2030年取得10项以上光芯片领域关键核心技术突破，打造10个以上“拳头”产品，培育10家以上具有国际竞争力的一流领军企业，建设10个左右国家和省级创新平台，培育形成新的千亿级产业集群。 《行动方案》从突破产业关键技术、加快中试转化进程、建设创新平台体系、推动产业集聚发展、大力培育领军企业、加强合作协同创新等六个方面提出了18项重点任务，同时，从关键材料装备攻关工程、产业强链补链建设工程、核心产品示范应用工程、前沿技术产业培育工程等方面提出了8项重点工程。 突破关键技术 加快中试转化进程 《行动方案》提出，强化光芯片基础研究和原始创新能力，将鼓励有条件的企业、高校、科研院所等围绕单片集成、光子计算、超高速光子网络、柔性光子芯片、片上光学神经网络等未来前沿科学问题开展基础研究。 加大对高速光通信芯片、高性能光传感芯片、通感融合芯片、薄膜铌酸锂材料、磷化铟衬底材料、有机半导体材料、硅光集成技术、柔性集成技术、磊晶生长和外延工艺、核心半导体设备等方向的研发投入力度。同时加大“强芯”工程对光芯片的支持力度，将面向集成电路产业底层算法和架构技术的研发补贴、量产前首轮流片奖补等产业政策，扩展至光芯片设计自动化软件（PDA工具）、硅光MPW流片等领域。 此外，加快建设一批概念验证中心、研发先导线和中试线。支持企业、高校、科研院所等围绕高速光通信芯片、高性能光传感芯片、红外光传感芯片、高性能通感融合芯片、薄膜铌酸锂、化合物半导体、硅基（异质异构）集成、光电混合集成等领域，建设概念验证中心、研发先导线和中试线。支持中试平台围绕光芯片相关领域，向中小企业提供原型制造、质量性能检测、小批量试生产、工艺放大熟化等系列服务，推动新技术、新产品加快熟化。鼓励综合性专业化中试平台为光芯片领域首台套装备、首批次新材料等提供验证服务，符合条件的依法依规给予一定政策和资金支持。鼓励中试平台搭建众创空间、孵化器、加速器等各类孵化载体，并孵化培养更多光芯片领域新物种企业。 建设创新平台体系 推动产业集聚发展 广东将依托各类创新主体，布局建设一批光芯片领域共性技术研发平台，主要聚焦基础理论研究和新兴技术、颠覆性技术攻关，加快形成前沿性、交叉性、颠覆性技术原创成果，实现更多“从0到1”的突破。引进国内外战略科技力量，培育一批创新平台，主要聚焦光芯片关键细分环节，加快技术创新和产业孵化，不断提升细分领域产业优势。围绕研发设计、概念验证人才培养等专业化服务领域，打造一批促进光芯片产业创新发展的公共服务平台，强化创新成果转化水平和专业化服务能力。 强化光芯片产业总体发展布局，支持有条件的地市研究出台关于发展光芯片产业的专项规划，加快引进国内外光芯片领域高端创新资源，形成差异化布局。支持广州、深圳、珠海、东莞等地发挥半导体及集成电路产业链基础优势，结合本地区当前发展产业科技的需要，加快培育光通信芯片、光传感芯片等产业集群，打造涵盖设计、制造、封测等环节的光芯片全产业链，积极培育光计算芯片等未来产业。支持广州、深圳、珠海、东莞等地依托半导体及集成电路产业集聚区，规划建设各具特色的光芯片专业园区。 培育领军企业 加强合作协同创新 广东将围绕光芯片关键细分领域和产业链重点环节，引进一批领军企业和新物种企业。支持有条件的光芯片企业围绕产业链重点环节进行并购整合，加快提升业务规模。支持龙头企业与国内外企业、高等院校、研究机构联合搭建未来产业创新联合体，探索产学研协同攻关和产业链上下游联合攻关，孵化和培育一批科技型初创企业。鼓励半导体及集成电路头部企业发挥产业基础优势，延伸布局光芯片相关领域。 支持光芯片龙头企业加大在粤的研发和产线布局，加快形成光芯片产业集群。支持外资光芯片企业布局建设企业技术中心、工程研究中心、工程技术研究中心等各类平台，进一步强化光芯片领域科技创新能力。 积极对接国家集成电路战略布局，争取一批国家级光芯片项目落地广东。加强与香港、澳门高等院校、科研院所的协同创新，对接优质科技成果、创新人才和金融资本，加快导入并形成一批技术创新和产业创新成果。加强与京津冀、长三角等国内先进地区企业、机构交流合作，探索开展跨区域协同合作，加强导入优质研发资源和产业资源。建立与国际知名高校、研发机构、技术转移机构等各类创新主体的交流合作机制，加强技术和人员交流。 推动刻蚀机等光芯片 关键装备研发和国产化替代 《行动方案》在8项重点攻关工程中提出，要推进光芯片关键装备研发制造。力推动刻蚀机、键合机、外延生长设备及光矢量参数网络测试仪等光芯片关键装备研发和国产化替代。落实工业设备更新改造政策，加快光芯片关键设备更新升级。 加快开展光芯片关键材料研发攻关。大力支持硅光材料、化合物半导体、薄膜铌酸锂、氧化镓薄膜、电光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光学传感材料、电光拓扑相变材料、光刻胶、石英晶体等光芯片关键材料研发制造。 大力支持收发模块、调制器、可重构光神经网络推理器、PLC分路器、AWG光栅等光器件及光模块核心部件的研发和产业化。支持硅光集成、异质集成、磊晶生长和外延工艺、制造工艺等光芯片相关制造工艺研发和持续优化。 同时，《行动方案》还提出，要加强光芯片设计和光芯片制造布局、并提升光芯片封装水平。 具体而言，支持光芯片设计企业围绕光通信互连收发芯片、FP/DFB/EML/VCSEL激光芯片、PIN/APD探测芯片、短波红外有机成像芯片、TOF/FMCW激光雷达芯片、3D视觉感知芯片等领域加强研发和产业化布局。 大力支持技术先进的光芯片IDM、Foundry企业，加大基于硅基、锗基、化合物半导体、薄膜铌酸锂等平台材料，以及各类材料异质异构集成、多种功能光电融合的光芯片、光模块及光器件的产线和产能布局。 大力发展片上集成、3D堆叠、光波器件与光芯片的共封装（CPO）以及光I/O接口等先进封装技术，紧贴市场需求推动光芯片封装测试工艺技术升级和能力提升。