中科大物理学教授朱士尧发表了自己对于中国国产光刻机的看法，他表示，对于5nm制程的光刻机来说，全世界不只是中国，美国也造不出来，中国现阶段是不可能可以造的出来的。

光刻机是一个国家在制造设备领域整体实力的表现，从整体实力来说，我们跟发达国家还有很多年的差距。

光刻机涉及到太多的学科和基础性的东西，荷兰的ASML也是结合了几十个国家在这方面的工艺，用最顶级的技术和工艺集成起来的，最后在荷兰组装起来。

中国目前还做不到，说能做到的，一定是不懂的人在吹牛。当然了，对于这种技术问题来说，我们在将来会慢慢的来解决。

目前来说，除了我国上个月在国家平台公布的氟化氩光刻机之外，并没有其他更先进的设备公布。这也就表明，如果是用国产技术、国产供应链打造的光刻机设备，193nm波长、分辨率≤65nm的氟化氩光刻机，就是目前中国技术最先进的设备。

朱士尧教授曾经在网络上面表达了自己对于国产光刻机的看法，但是很多人歪曲了朱教授的意思，都认为朱教授说中国造不出光刻机这句话，指的是中国造不出光刻机这种设备，哪怕连几十年前最基础的设备也造不出来。

但是朱教授针对的是5nm制程的光刻机，也就是13.5nm波长的EUV光刻机，这种技术水平的产品，全世界只有荷兰的ASML可以通过整合全球的供应链，组装完成，美国和中国都做不到。

我们先来谈论国产光刻机的水平：

193nm的波长，表明这款光刻机是DUV技术。DUV技术分为干式和浸润式，浸润式在套刻精度足够高的情况下，可以通过多曝光的技术实现7nm制程的芯片制造。

分辨率≤65nm，可以制造55nm制程的芯片。

但是我国国产光刻机的套刻精度≤8nm，在最极限的情况下可以通过多曝光制造40nm制程的芯片，与浸润式光刻机的制造水平完全不相符，所以我们的国产光刻机属于干式的DUV技术。

193nm波长的干式DUV光刻机，这个设备的技术体系最早出现在1999年，被大面积商用也是在千禧年之后的一段时间内，随后台积电的林本坚开创了浸润式技术，将光刻机的发展带入了下个阶段。

多年之后，美国的公司在光源上面采用了极紫外线技术，一次曝光就可以制造7nm制程的芯片，光刻机的发展进入了EUV领域。

对于EUV光刻机来说，零部件供应商的要求标准都是非常严格的。内部的镜头部分，都是由德国蔡司独家供应。连美国、日本的一些主攻镜头技术的企业，都没有资格将蔡司的镜头替换掉。

所以朱教授说，中国和美国都造不出来5nm制程的光刻机，这句话并没有什么错误。

当然了，如果没有蔡司的镜头，美国大可以用本土企业的镜头进行代替，但是更换了供应商，设备的性能、效率以及产品的良品率就没有了保障。一台没办法保证产品良品率的光刻机设备，基本就相当于废铁差不多，唯一的用处就是拆开之后，对内部的元器件进行技术拆解。

在国产光刻机这边，长春光机所已经掌握了一些EUV技术的曝光工艺，在光源上面有了技术突破。但是EUV光刻机光有光源的曝光台不行，还需要其他高水平的零部件拼装起来，形成一整套的技术设备。

EUV光刻机最难的不是每个环节的技术突破，而是将所有的环节、所有的零部件整合起来之后，设备的工作效率、良品率、与其他设备的协同性，都是存疑的。光有一台EUV光刻机，确实可以将晶圆打磨出来，但是打磨出来之后，就需要用刻蚀机来进行最后一步的处理。

经过光刻之后的芯片，需要用化学品或者等离子体去除掉不需要的部分，这个工序占芯片制造30%左右的时间，而且对于芯片良品率的提升至关重要。

刻蚀技术所用到的材料，因各企业性质的不同，所以也会存在极大的差异。

如果刻蚀技术所需要的清洗液存在不兼容的情况，那么就无法交付给刻蚀机进行清洗的环节，也就无法在晶圆被光刻之后，去除晶圆上面多余的那一部分。对于这种没有被刻蚀机进行加工过的芯片，属于不合格的产品，根本不能放在其他设备上面进行使用。

中微半导体的董事长尹志尧曾经在访谈中表示，芯片的制程工艺到达了5nm、3nm这个阶段，光刻机已经不是整个环节当中最唯一的设备了，后续的制造需要高水平的刻蚀机参与进来，这样才可以提升芯片的良品率，以此来保证光刻机打磨出来的芯片是可以用的。

中国在刻蚀机上面已经形成了自己的一套技术壁垒，并且由中国中微半导体出品的刻蚀机设备，已经交付给了台积电等相关企业。

现在国内，已经在EUV光源技术上面有了自己的一套技术理念，剩下的就是要解决光刻机的零部件供应问题。如果要是选择采用国产供应链体系来打造先进的光刻机设备，这个工程量相当庞大，研发的周期完全就是不可预知的。