三星的存储器业务在高带宽存储器（HBM）的部分，市场对其表现严重失望。原因是三星一直没有积极在这领域的发展，直到 2024 年第三季开始，才针对 GPU 大厂英伟达进行 HBM3E 的认证，期望打入供应链当中。不过，当前8层堆栈的产品尚未通过认证，12层堆叠的产品则极有可能延后到2025年第二或第三季之后才有机会供应。

三星电子的第五代10纳米级（1b）DRAM良率已超过60%。然而，由于该产品在最初设计时未考虑高频宽存储器（HBM）的应用，使得1b DRAM无法用于HBM产品线。为了应对中国厂商的竞争，三星计划利用1b DRAM产品。

为追赶在HBM领域领先的SK海力士，三星近期在存储器部门成立了高频宽存储器团队，旨在提升良率并推动第六代AI存储器HBM4及AI加速器Mach-1的开发。

据报道，三星的HBM小组主要负责DRAM和NAND型闪存的研发与销售。三星执行副总裁兼DRAM产品与科技长Hwang Sang-joon将领导这一新团队。这是自今年1月启动HBM任务团队以来，成立的第二个聚焦于HBM的小组。

三星正在全力以赴，希望在先进HBM市场中超越SK海力士。2019年，由于错误判断市场前景，三星解散了当时的HBM小组。

为争夺AI芯片市场的领先地位，三星实施“双轨”策略，计划同时开发HBM和Mach-1两种尖端存储器芯片。预计在2024年下半年量产HBM3E，并于2025年投产下一代HBM4。HBM3E是针对AI应用的最佳DRAM，属于第五代DRAM。

此外，三星还在研发下一代用于AI推理的加速器Mach-2。客户对此展现浓厚兴趣，三星需加快研发进程。

HBM 是下一代存储器，它垂直堆叠多个 DRAM，并通过 TSV（通过硅电极）将它们连接起来。为了扩大 HBM 的生产能力，需要包括该 TSV 在内的先进封装设施。

直到去年第二季度，三星电子还计划在今年年底将HBM产能提高至每月14万至15万片，并在明年年底提高至每月20万片。这一结果反映了SK海力士等主要竞争对手增加HBM产量的应对策略，以及NVIDIA等主要客户的质量测试即将完成的积极前景。

但今年下半年情况发生了变化。由于最新一代HBM3E（第五代HBM）8层和12层产品通过NVIDIA质量测试的时间晚于预期，三星电子在今年年底保守地调整了HBM生产计划。

HBM 的设施投资也 保持稳定，以反映当前形势。据了解，HBM产能目标已从20万台/月下调至明年底 17万台/月，而每月3万台的削减已改为后期投资。

产能方面，明年年底HBM产能已从后期的130亿Gb（千兆）水平下调至120亿Gb。

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