浸润式DUV光刻机和目前国产EUV光刻机的极限 二手浸润式DUV光刻机价格低，ASML1980型就能实现7纳米，晶圆价格只有EUV价格60%，光刻胶等原材料价格也低得多。 浸润式DUV光刻机极限可以达到EUV的3纳米工艺节点，但良率90%到70%，功耗性能也下降到EUV的80%。 浸润式DUV通过SAQP自对准多重曝光技术，半节距可降14–16 nm，栅极长度缩至10–12 nm，是EUV光刻机3纳米节点，珊极达到2纳米。中芯国际3纳米70%的良率已经很高。 因为关键层对芯片性能的决定性作用，虽然晶体管达到3纳米级别，但功耗和性能下降到EUV80%。 关键层，包括晶体管栅极（Gate）、接触层（Contact）、最小金属互联层（M0/M1）等，直接影响： 1 晶体管开关速度（栅极控制能力） 2信号延迟（金属线电阻与电容） 3漏电功耗（短沟道效应、边缘粗糙度） 光刻精度需求 高，关键层要求更高的分辨率和图形保真度，若无法精准定义，将导致性能与功耗的全面劣化。 3纳米层做成手机难度大，但是较大芯片例如GPU是可以。 手机芯片5纳米或者5.5纳米，加上3D技术实现3纳米性能目前还可以。 DUV光刻晶圆价格只有EUV光刻价格60%。 中芯可能已经用国产光刻机做关键层光刻，其他层用浸润式光刻机。中芯可能有一部小时30个晶圆光刻机，可能为原型机。 国产EUV光刻机，已经开始用于关键层光刻，而量产EUV光刻机存储芯片DDR5和硬盘将在8月份生产。 国产EUV光刻机功率250W与13.5纳米光刻机相当，与ASML高数值孔径光刻机还有差距，这款新光刻机关键层一次曝光就行，芯片性能和功耗都好于上代。虽然国产EUV光刻机也能到2纳米，但功耗与性能还是有差距。
