国产EUV光刻机提高产品档次优先用于存储集成电路 中国2024年进口存储芯片60

糖果杠历史 2025-03-06 08:49:01

国产EUV光刻机提高产品档次优先用于存储集成电路 中国2024年进口存储芯片6000多亿元。 国产存储集成电路是用DUV光刻机，DDR5中低档，3D NAND硬盘到294层 韩国用10纳米EUV光刻，DDR5高档，正在加紧研制DDR6。硬盘也超过300层 。 EUV光刻机13.5纳米，生产10纳米存储器曝光次数少，工艺难度低。3纳米和4纳米CPU和GPU要多次曝光。 今年的GPU和CPU还是用DUV工艺，90%成品率中芯国际5纳米，华为5.5纳米，还有一家6纳米，其他几家说有7纳米。DUV光刻机有固定成本低优势，二手ASML1980，价格很低，折旧固定分摊，规模不太大成本低。 DUV和EUV光刻机可能结合起来，台积电第二代7纳米是这样。

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