2024年，中国 SiC 衬底的设计产能321 万片左右（6 英寸折算），SiC 晶圆产能大约在 200 万片（6 英寸折算）。 2024年5月21日，士兰微与合作伙伴向厦门士兰集宏增资41.5亿元。 2024年6月，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目在海沧正式开工。该项目总投资120亿元，建成后将形成年产72万片8英寸碳化硅功率器件芯片的生产能力。一期项目预计2025年三季度末初步通线，2025年四季度试生产，达产后年产42万片。 2025年2月28日，厦门士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目封顶。 2023年7月，湖南三安全资设立重庆三安，规划达产年生产能力为8英寸碳化硅衬底48万片。 2023年8月，设立重庆安意法，湖南三安占股51%，意法半导体49%。规划达产年生产能力为8英寸碳化硅车规级MOSFET功率芯片48万片。 2024年8月，重庆三安衬底厂点亮通线。
