国产混合键合技术日臻完善 硅中介层和混合键合技术可以实现更快的数据传输和更高的电源效率。 国内长江存储的混合键合技术日臻完善，尽管受到美国制裁，其V9 NAND芯片拥有目前商用产品中最高的垂直栅极密度，并成功实现了2yy层3D NAND结构。长江存储保留了使用混合键合方法连接两个晶圆的技术，并利用该芯片将 TLC NAND 位密度提高到 20 Gb/mm² 以上。 混合键合设备国内厂家包括芯源微，苏州芯睿，拓荆，芯慧联新（百傲化学子公司），盛美，青禾晶元等。 芯源微在键合设备领域已重点布局临时键合机、解键合机。 2022年，拓荆成功出货首台晶圆对晶圆键合产品Dione 300；已完成芯片对晶圆键合表面预处理产品Pollux的研发。
