长江存储无视美国制裁，再次实现设计突破据TechInsights的一份报告，

长江存储无视美国制裁，再次实现设计突破

据 TechInsights 的一份报告，中国领先的闪存芯片制造商长江存储技术股份有限公司 （YMTC） 尽管受到美国制裁，但在北京推动技术自给自足的情况下，它实现了重大技术突破。

长江存储在其最高密度的 3D NAND 芯片中实施了其新的晶栈 4.0 存储芯片设计，该芯片是在商用至钛 TiPro9000 固态存储设备中发现的。

该芯片采用双层结构 - 下层有 150 个门，上层有 144 个门 - 总共 294 个门。它使用所谓的混合键合技术将两个晶圆连接在一起。

“重要的收获是，中国的长江存储已经击败了市场竞争对手，”撰写该报告的 TechInsights 高级分析师 Jeongdong Choe 说。“凭借新的晶栈Xtacking4.0技术，长江存储似乎已经找到了一种用这款新芯片来克服当前禁令的方法。”

长江存储尚未公开发布技术突破的细节。

华盛顿州两年前将 YMTC 列入黑名单，将其列入所谓的实体清单。制裁使该公司与 Lam Research 等领先的半导体设备制造商断绝了联系，后者无法再为长江存储赖以实现高产量的机器提供服务。

此后，长江存储更加的依托于国内设备商（北方华创等）的设备并完成了突破

打，打到完全胜利。