尽管受到美国制裁，YMTC V9 NAND芯片拥有目前商用产品中最高的垂直栅极密度，并成功实现了2yy层3D NAND结构。 YMTC保留了使用混合键合方法连接两个晶圆的技术，并利用该芯片将 TLC NAND 位密度提高到 20 Gb/mm² 以上。其与竞争对手三星、SK海力士、美光的总门数和3D NAND密度的比较，突显了重大的技术进步。，标志着中国半导体行业取得了重大进步。 现在存储芯片随着3D技术的发展，让EUV在存储芯片上不是特别必要。所以NAND，DRAM，HBM的技术变得可得！DUV理论上到4nm就是成本问题，华为和中芯两公司数千名工程师齐心协力，定可突破！
