拓荆继续突破首台 2024年，拓荆科技超高深宽比沟槽填充CVD产品首台已通过客户验证，达到完全填充晶圆表面间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。薄膜设备按照其成膜方法可分为两大类：物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积 （CVD）。CVD 设备占薄膜沉积设备市场份额 64%左右。 另外，首台PECVD Bianca工艺设备通过客户验证，主要对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护。 沈阳拓荆三次承担国家“极大规模集成电路制造装备与成套工艺科技重大专项（02专项）”。产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个系列。已展开10nm及以下制程工艺验证测试。 拓荆的PECVD和ALD设备则是未来国内存储厂商扩产的核心薄膜沉积设备。系国内唯一能产业化应用的集成电路 PECVD 设备厂商。产品覆盖 180-14nm 逻辑芯片、19/17nm DRAM 及 64/128 层 FLASH 制程工艺需求。