电路过流保护了,怎么办?

VBsemi微碧半导体 2024-06-11 17:05:33

有伙伴私信问:mos管过流保护电路有哪些?

通常在关闭负载之前,检测负载电流是很重要的。

今天微碧来分享一个网上的过流保护电路,它利用运放来感知电路是否有过流发生。

电路设计:

-至少12V的电源

-LM358

-IRF540N

-100uf/25V的电容

-散热器

-50kΩ电位计

-精度1%的1kΩ和100kΩ电阻

-1MΩ电阻

-1Ω分流电阻,额定功率为2W

这是电路所需要的元器件,这里的MOSFET型号是IRF540N,可以用VBL1104N更好代替。

工作原理

当MOS管导通时,负载电流从漏极流向源极,然后通过R1导向GND。一般检测电流就是通过这个分流电阻R1,(1Ω 2W),它会产生一个压降。

这个压降是怎么算呢?

这就要利用欧姆定律了(V=I x R):如果是1A的负载电流,分流电阻的压降就是1V。

也就是说可以对比这个电压和使用运放时预设的电压,去检测过流情况,然后改变MOS管的状态,切断负载。

那电压是怎么控制MOS管的开关呢?

这个LM358是比较器,它能够比较两个值的大小,一个是R1的压降,一般导入比较器的反向引脚,另一个是RV1生成的预设电压,导入的是比较器的同向引脚。

这里的RVI的主要作用是分压。

也就是说,当感应电压小于这个预设电压时,RV1会在输出这里生成正电压(接近VCC),相反就是负电压(接地,为0V),这就能控制MOS管了。

不过要注意:

如果将电位计RV1的1A设置为MOS管关断的阈值,比较器检测到的R1压降可能是1.01V,这会导致比较器(LM358)断开负载,暂态响应提高了预设电压,让比较器工作在线性。

所以最好是在比较器使用稳定电源,让瞬态改变不会影响比较器的输入电压和参考电压。

此外,比较器需要加入滞后,比如这个100kΩ的R4和稳压器LM7809,有小伙伴知道这两个的作用吗?可以在评论区一起留言,探讨下这个电路设计!

以上部分图片与资料来源于网络

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