据最新报告显示，DRAM和NAND闪存的现货价格正持续下跌，这一趋势预计短期内难以扭转。导致这一现象的主要原因有两个：市场上库存过剩以及中国政府近期对翻新DRAM走私的严厉打击。

在DRAM市场上，现货价格的下降尤为显著，且与合约价格形成鲜明对比。这主要是因为模块厂商库存水平过高，导致他们倾向于在现货市场购买DRAM芯片。此外，消费产品市场需求疲软，硬件制造商不需要额外的内存，进一步压低了现货价格。

值得注意的是，中国政府对走私的严厉打击也是价格下跌的主要因素之一。通过更换芯片底部的焊接球来翻新DRAM芯片的技术虽然能够使其重新工作，但这些芯片的可靠性远不及全新DRAM。因此，市场对这些翻新芯片的需求降低，进一步影响了价格。

数据显示，自5月底以来，DDR4 1Gx8 2666MT/s芯片的平均现货价格已经下跌了2.54%，仅在过去一周内就从1.881美元跌至1.835美元。尽管这一下跌幅度看似不大，但其趋势明显且持续。

同样，NAND闪存现货市场交易也表现疲软。固态硬盘制造商的库存充足，即便现货供应商降价，需求依然未见明显回升。这导致现货价格和合约价格之间的差距持续存在。本周，512Gb 3D TLC NAND晶圆的现货价格下跌了0.57%，报3.309美元。

综合来看，由于市场需求疲软，DRAM和NAND闪存市场在定价方面面临重大挑战。TrendForce预计，由于市场动态和政府打击等外部压力，价格在短期内不会回升。

值得一提的是，本周早些时候，我们报道了Kioxia停止削减其3D NAND存储器的产量，并准备增加产量。这一举措可能会提升其市场份额，并对3D NAND的供应和价格产生重大影响。

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