分享一个微碧在网上看到的电路情况。

当用100kHz的频率驱动PMOS时，PMOS  G极的电压信号并不是一个脉冲波，PMOS一直处于线性放大的状态，并且无法关断。

于是将电路修改，将驱动三极管的信号换成直流电，PMOS正常开通，但是这是在完全低频直流电驱动的情况下。

于是将三极管换成NMOS，PMOS依旧没有关断，将驱动脉冲的频率改为10k，最后发现是PMOS的关断时间太长了。

那为什么PMOS的关断时间会这么长呢？

当PMOS开通时，结电容的电压需要下降，也就是对电容进行反向充电，在关断时PMOS需要结电容充电，此时是结电容没有快速放电回路，结电容只有通过电阻R12将电荷释放掉之后，门极的电压才能上升，这就是为什么关断时间长的原因。

也就是说，在设计电路时，刚上电时PMOS的门极必须是高电平，这样可以避免PMOS自己开通。

比如这个电路，在关断时，Q1导通给结电容充电，脉冲V4为高电平时，Q1截止，PMOS的结电容通过电源V3 ，D2 ，R2 以及Q2形成充电回路。

于是，关断延时没有了，但开通速度还是很慢，那是否可以将R2的数值进一步减小呢？

如果将R2的数值减小，在稳态时，电阻R2和M1（MOSFET）会流经很大的电流，容易导致稳压管损坏。

那使用图腾柱驱动呢？

这个电路开通利用Q2的瞬间导通实现将结电容反向充电，此时的R1电压瞬间变成了10V左右。Q2导通。

在关断瞬间，Q1导通，结电容通过Q1迅速释放电荷，实现了驱动。

虽然实现了PMOS的驱动，但是这里依然有个问题，也就是驱动电压严重的依赖于电源电压，如果将电源电压降低，PMOS的Vgs的压差也会变低，有人知道有什么更好的办法吗？

下一期我们继续来讲PMOS的驱动电路。

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