在半导体领域里，生产出一个电子芯片，光刻机属于绕不开的核心设备。而且，在7nm以下的先进工艺中，更是少不了EUV设备。但是，光刻机的研发难度却十分大，特别是EUV设备，也只有ASML可以研发出来。

由于众所周知的原因，ASML不能卖给中企EUV设备，甚至以后售卖DUV也可能受限。为此，国内科研人员抓紧自研突破，近日，哈工大就突破了一项光刻机核心部件，且有3项技术领先。那么，该核心技术可否用于EUV设备呢？

近日，哈工大官宣研制出HUE-D/S/X系列“高速超精密激光干涉仪”，在网上备受关注。因为，该研发项目可解决高端装备发展和量子化计量基准等前沿研究的“卡脖子”问题，更重要的是，该仪器是光刻机的核心部件。

大伙都知道，光刻机主要包括：光源系统、浸液系统、光学系统、工件台掩模台系统。其中工件台掩模台为光刻机中的超精密定位平台，对光刻机的产片率很大影响。

高速超精密激光干涉仪可以对光刻机中双工件台的多维运动，进行线位移、角位移同步测量与解耦，以满足掩膜工件台、硅片工件台和投影物镜之间，日益复杂的相对位移、姿态测量需求，进而保证光刻机整体套刻的精度。

因此，在光刻机等高端设备中，超精密高速激光干涉仪是核心单元之一，它是实现极限工作精度和工作效率的必要条件。

该仪器受关注另外一个原因，是因为它的技术整体水平高。

据悉，哈工大研制出的HUE-D/S/X系列“高速超精密激光干涉仪”不仅实现亚纳米，甚至深亚纳米级的高分辨力高精度位移测量。经过3位院士及专家鉴定，HUE-D/S/X系列仪器整体水平达到了国际先进水平，其中3项关键技术处于国际领先。

哈工大团队突破系列核心测量方法和工程化关键技术，解决了该领域存在的测不准、测不精、测不快的核心难题，该技术已经满足国内光刻机的各项需求。

值得注意的是，该设备并不是停留在线上研究。据了解，“高速超精密激光干涉仪”已实现了小批量生产，且应用在我国的350nm到28nm 多个工艺节点的光刻机样机集成研制和性能测试领域。

从以上的介绍可以得知，该核心部件是可以用于DUV光刻设备的，已应用到28nm以上工艺节点上。不过，EUV设备的技术要求更高，就目前来说，哈工大研制出的HUE-D/S/X系列仪器暂时还不可应用到极紫外光刻设备上。

一方面，EUV设备的移动工件台运动范围、精度和速度，都比DUV更进一步提升了。EUV要求在大量程6自由度复杂耦合高速运动条件下，实现0.1nm及以下的位移测量精度。

另一方面，EUV光刻设备是真空工作环境，这样来减少空气流动波和空气折射率引入的测量差。同时，EUV也大大提升了整体测量系统结构，针对空气真空适应性设计的复杂性。

不过值得注意的是，超精密激光干涉仪也是EUV 光刻机的核心技术之一，这项技术的突破，可为极紫外光刻机研发提供重要的技术储备。而且，哈工大研发团队还在继续努力，将研发极紫外光刻机的超精密高速激光干涉仪，适用于EUV光刻设备。