这几年我国半导体产业发展迅猛，涌现了华为、中芯国际、上海微电子、龙芯中科、概伦电子等实力强劲的芯片厂商。按照这个发展趋势，我国半导体产业赶超老美应该是大概率事件。

为了维护自己在半导体行业的绝对话语权，老美联合一众小弟对我国芯片厂商进行打压，限制我国获得先进的半导体设备、工艺。在老美的打压下，华为、中芯国际等厂商的业务受到较大的影响，这让我国科研人员认识到转换赛道的重要性。

为此，我国科研人员开始进军量子芯片、光子芯片领域，希望在这两种领域上实现技术突破，能够在未来的竞争中赢得先进。而在最近，我国在光子芯片领域实现技术突破，这让外界感到意外。对此，有外媒表示我国芯片发展也太快了。

近日，中科院深圳研究所的李光远团队提出了光子芯片上减慢光速一万倍的新方法。该团队通过两种表面晶格共振模式的干涉耦合，测得室温下具有强慢光效应的类磁诱导透明现象。这种现象意味着光速被减慢了1万倍，速度仅为30公里/秒。

除此之外，在这种新方法下，该团队测得品质因子高达2750，是现有记录的5倍以上。换言之，李光远团队的这种方法打破了品质因子的记录，让品质损耗降到了之前的0.2。

那么李光远团队的这项新技术对我国半导体产业的发展有什么意义呢？这就要从传统芯片和光子芯片的差异讲起。

传统芯片也就是我们所说的硅基芯片，而光子芯片采用Inp、GaAs等二代化物为材料，其成品性能比硅基芯片要强1000倍，功耗更是只有前者的九万分之一。

不管是制造成本，还是产品性能，光子芯片都具备远远凌驾于于硅基芯片的商业价值，这对于企业、国家竞争中具有划时代的意义。

由此可见，谁掌握了光子芯片的核心技术，那么谁就能在光子芯片领域获得充足的话语权。一旦光子芯片的发展进入商用阶段，那么我国光传感、光通信、光计算等领域就能获得广泛应用，这避免了我国在硅基芯片的“卡脖子”的局面。

写在最后

从哈工大团队的超高速精密激光干涉仪的研制成功，到概伦电子的EDA工具3nm工艺节点的技术突破，再到华为麒麟9000S芯片的自研自产，我们可以发现我国在传统芯片领域已经实现技术的突破，并有了打破国外技术垄断的实力。

此次李光远团队在光子芯片领域的技术突破，再一次向外界展示了我国半导体产业的综合实力。换一个赛道竞争，我国企业和科研人员也不会输给国外。正因为如此，有外媒才感叹:我国半导体产业发展速度也太快了。