今年上半年全球存储芯片价格上涨四成，让韩国的三星和SK海力士以及美国的美光赚得盆满钵满，其中三星的利润更是暴涨14倍，一扫此前存储芯片业务的颓势，不过日前台媒却指出这属于虚假繁荣，压力由三星、美光这些存储芯片生产企业施加给金士顿等下游模组厂。

台媒指出金士顿等下游的存储品牌库存高企，有部分存储企业的库存已高达11个月，高企的库存已让这些企业叫苦不迭，甚至全行业亏损严重，赚钱的只有上游的三星、美光等存储芯片颗粒生产厂。

从去年下半年以来，全球存储芯片的价格迅速反弹，美韩存储芯片企业涨价的原因是他们认为全球存储芯片的需求已逆势反弹，因此联手涨价，这有操纵价格的嫌疑，而他们在十几年前就有前科，当时三星被美国以操纵存储芯片价格罚款。

然而从消费电子市场来看，2023年全球的智能手机销量只有12亿部左右，比2016年的15亿部下滑了20%，PC更是连续多年下滑；另一方面则是存储芯片技术的升级大幅增加容量，从数年前的64层到如今的300层，如此情况存储芯片应该供给过剩才是，如今这些存储品牌被指库存高企，意味着并非需求增加，而是上游的存储芯片颗粒厂强行将存储芯片塞给了这些存储品牌企业。

美韩的存储芯片业绩暴涨，部分将之归咎于AI芯片所需要的HBM存储芯片大增，带动了它们的收入增长，不过即使是最乐观的SK海力士预计今年的HBM芯片收入达到100亿美元左右，占它的营收比例也不过四分之一左右，SK海力士的主要收入仍然是靠通用性的存储芯片。

随着存储品牌企业的库存高企传出，美韩的存储芯片企业接下来恐怕将难以销售存储芯片了，甚至存储芯片的价格可能将再次转向下跌；2023年初，美韩存储芯片企业曾传出库存高企，不得不大幅减产，如今恐怕要重演了。

至于美韩芯片强调的HBM芯片也将出现供给过剩，今年全球的HBM存储芯片供给量将达到2500亿GB，而全球需要的HBM存储芯片只有1500亿GB；HBM存储芯片供给过剩，还在于三星不甘心SK海力士超越它，因此三星已大举增产HBM芯片，这都导致HBM芯片严重过剩。

中国芯片也给美韩芯片压上一根稻草，由于美国的施压，从2022年以来中国两家存储芯片企业难以获得先进芯片设备和材料，导致他们的技术研发陷入停滞，NAND flash存储芯片停留在2022年的232层，但是随着国产芯片设备和材料的替代，日前传出的消息指国产存储芯片开发出新一代的xtacking4.0技术，已达到300层水平，再度追上美韩芯片的300层技术水平。

国产存储芯片可以用国产芯片设备和材料替代，在于存储芯片采用工艺在10纳米以上，甚至19纳米就已属于存储芯片的先进工艺，国产芯片设备和材料已能满足部分需求。

国产存储芯片再度取得技术突破，二期工程将再度大规模量产，中国制造所需要的存储芯片将再度减少从韩国进口，而中国又是全球最大的存储芯片采购国，如此一来将进一步导致全球存储芯片供给过剩，促使存储芯片价格下跌。

这近一年多时间，美韩芯片再度取得技术优势，同时他们又拥有市场份额优势--合计占有的市场份额超过九成，联合涨价让中国制造吃尽了苦头，据悉中国制造采购的存储芯片至少因此而多支出400亿美元，让美韩存储芯片赚得盆满钵满，然而中国存储芯片的再度崛起，让他们的好梦再度破灭。