中国半导体领域又迎来重大突破！

武汉一家科技公司推出的T150 A光刻胶产品，现在已经通过了量产验证，7nm以上工艺全覆盖。这也意味着中国在芯片制造方面，终于将关键材料掌握在了自己手中，彻底打破了国外垄断！

那么我国在光刻胶技术方面，现在是否已经达到了世界一流水平？

和美西方发达国家，是否还存在差距？

什么是光刻胶呢？这是一种芯片制造过程中，所要使用到的聚合物薄膜材料。

在光刻过程中发生聚合或者是解聚反应，从而把图案留在硅片上。

在国际上，日本的光刻胶技术最强，早在上世纪六七十年代，日本就已经拥有了光刻机的自主知识产权，并将核心技术牢牢握在手中，率先创立了光刻胶行业的技术壁垒，有随着日本光刻胶的商业化，最终实现了产业壁垒。

值得一提的是，我国在光刻胶领域的研究，实际上早期并没有落后日本。

1962年，中国科学院就委托北京化工厂去研究光刻胶了，1967年，中国第一个KPR型负性光刻胶投产，之后三年里，我国又陆续研发出多种光刻胶。并且在1972年，我国甚至还造出了第一台光刻机。

可以说，我国早期在半导体领域的发展，不能说技术方面世界领先，但和发达国家的差距，顶多也就是几年而已，绝对不会像现在这样有着几十年的差距。

那么我国既然起步早，早期技术研发进展也很不错，为何后面就逐渐落后了呢？

拿光刻胶来说，这是因为日本巨头垄断了最先进的光刻胶技术后，对配方和原材料都建立了行业壁垒，再加上我国当时发展较为落后，科研人员不足、研发资金也短缺，国内市场规模非常小，极大限制了我国早期在半导体领域的发展，所以后面咱们就逐渐落后了。

这些年，随着我国在半导体领域不断取得突破，日本巨头为了避免被我国赶超，也开始对我国进行制裁封锁，例如在去年，日本就限制了23种半导体制造设备的对华出口。

而我国在半导体领域，设备和耗材的主要进口渠道就是日本，无疑日本这么做，就是为了将中国半导体行业的发展给彻底扼杀掉。

在这其中，如果我国还想要自主研发芯片，就离不开光刻胶，也是在这个背景下，中国企业奋起直追，现在终于到了扬眉吐气的时候，随着国产光刻胶通过量产验证，以后7nm以上芯片的制程工艺，咱们就再也不用担心被国外给“卡脖子”了。

不过现在国外最先进的光刻胶制程工艺，已经达到了3nm，并且在未来10年内，还有望实现1nm，所以我国光刻胶与日本的差距还非常大，而且接下来我国企业最难的一步，就是实现3nm制程的光刻胶，如果可以打破技术瓶颈，那么日后中国光刻胶达到全球一流水平，甚至是领先水平，就只剩下时间问题了。

此外光有国产光刻胶也没有用，还要看国产化率，以及市场占有率，同时我国若是想要彻底打破国外对半导体行业的垄断，我国还是要造出先进的光刻机来。

全球现在的五大光刻胶生产商，其中4家都来自日本，他们手握全球70%以上的市场份额。

而我国的国产光刻胶全球市场占比不足5%，即使在国内市场，占比也不足25%。

所以短期内国内的光刻胶市场，仍然要依赖日本进口。

更何况光研发出来了光刻胶也不够，还要建立光刻胶的产业链，像日本光刻胶技术之所以那么强大，就是因为日本早在上世纪70年代，就打造了完整的光刻胶产业链，国内的上下游产业没有环节缺失，都可以进行深度合作。

而在这里，另一个困扰我国半导体领域发展的难点，就是一定要造出先进的光刻机。

现阶段，我国光刻机的国产化率不足3%，虽然前段时间我国有企业造出了DUV光刻机，但与荷兰阿斯麦的差距还非常大。

因此想要实现整个产业链的技术突破，用一句话来总结，还是任重道远。

不过再难也要坚持，否则若是再度放弃了，那么在这一领域，怕就要永远被“卡脖子”了。