产品结构线路连接示意图

MOS/PTC与cell为串联关系，电容C1相当于并联。

COB MM6352电路图

C1相对于与cell并联

COB MM6352 Layout

电池在这端，背面朝上

COB MM6352 X-Ray

COB MM6352 C1的剖面

COB MM6352 C1 crack

C1异常的影响性

C1异常的电阻量测法

Cell与PCM形成通路时无法测量，必须断开一极以上。红表笔对B+/V+黑表笔对B-如果逆向，则均能测到约几十到几百KΩ，不作为判定依据。C1 spec ≥5.0 x 108 Ω=500 MΩ.如果测试电阻值是跳动的，则表明是正常，如果能测到稳定值，例如数百至几兆欧姆，则是NG。

C1异常的漏电流量测法

电池断开一极，建议负极。将电流表串联到电池和保护板之间：一端连接cell负极，另一端连接PCM负极。测到的值即为漏电流值。用万用表时，因精度问题测试不到几个到几十uA级电流。mA级则可以测到。建议用高精度电流表，例如HP或安捷伦的34401A万用表。

C1异常的成品观察法

C1异常，体现在漏电流大，对电池放电，故可以从电池的压降上进行判定。将电池存放一段时间，记录存放前后的电压，对压降进行统计分析。

W0703 MOSFET异常的影响

MOS脚位的锡，有可能在后续的焊接加工中熔化，或者受热或静电造成断脚。

可能的影响性：

1、电阻变大，与虚焊相同的影响。带负载的状况下无法供电或者电压变很低。

2、保护功能失效。

目前0703保护板主要发现是脚位锡丝熔化，输出电压低。

分析方法：

1、测试Cell两极电压（铝/镍极耳）与pack两极电压（红/黑导线）是否相同。

测试B-和V-之间的电压与电阻亦可（测电压则必须与cell相连）。

2、保护功能是否正常。