这些年随着我国数字化的快速转型，芯片需求量跑出了一条上扬曲线，每年对芯片的进口高达2万亿元之多，这是一个恐怖的数字，更是一个残酷的现实。因为这正好暴露了中国科技企业的短板，于是一条条禁令既射向了我国科技巨头，也射向了我国整个半导体产业。

不仅台积电、三星两大芯片代工企业终止了与华为等中企的合作，英特尔、高通、AMD等芯片巨头无法自由出货，就连荷兰、日本也受到了其长臂管辖，光刻机等芯片制造设备受到了严格管控。当人工智能成为新风口，他们又调整战略，将“全面进攻”调整为“重点进攻”，最终芯片规则渗透到了每个细分行业。

芯片禁令内生悖论

不过，他们的规定体现出了明显的内生悖论，本来是为我国半导体产业发展增加难题，实际上却起到了相反的效果。比如中芯国际等国内晶圆厂斥资千亿全国布局，将芯片的产能提升到了10亿颗/日，同时实现了14nm工艺量产，28nm自主可控，国产28nm光刻机也进入了最后的攻坚阶段。

作为中国硬核科技的代表企业华为，三年的卧薪尝胆，攻下了芯片这个“山头”，Mate60Pro系列的发布，搭载了我国自研、自产的麒麟9000S芯片，彻底摆脱了对美供应链的依赖，这是我国科技产业不畏强权自强不息的真实写照。

不过，这些只是我国科技创新实力日益增强的冰山一角。

北大取得革命性突破

据北大官网报道，北京大学电子学院彭练矛院士、丘晨光研究员团队构筑了10nm弹道二位硒化铟晶体管，创造性地提出“稀土钇元素诱导二维相变理论”，并发明了“原子级可控精准掺杂技术”，成功克服了二位电子器件领域金属和半导体接触的国际难题，首次使用二位晶体管实际性能超过业界硅基10nm节点Fin晶体管和IRDS预测的硅基极限。

而这一技术的诞生，不仅将晶体管电压降到了0.5V，时延也降到了硅基极限的1/4，功耗也降到了1/3，反超英特尔在该领域长期保持的硅基Fin晶体管硅基极限，一举成为国际迄今为止速度最快、能耗最低的二位晶体管。

这是一项革命性的突破，因为该技术低时延、低功耗的优势为未来的2nm甚至1nm芯片制造带来了巨大的潜力。目前该项成果已经发表在了全球首屈一指的科学周刊Nature上，此举一时间震撼整个半导体行业。

虽然大陆还没有生产4nm、3nm甚至2nm工艺芯片的能力，但这为我国现有芯片产业发展提供了有力的技术支撑。如果将这项技术引入14nm或者7nm工艺芯片，通过优化晶体管这种“芯片根技术”，可以有效地提升芯片的计算速度，减少芯片过程中产生的热量和能量损耗，从而延长设备续航时间。

这是我国向高端芯片领域挺进的积极尝试与探索，更是没有EUV光刻机背景下的“曲线救国”。

对此一些外媒纷纷感慨：真是防不胜防，完全低估了中国芯片的决心，美大动干戈打压中国芯片，本想实现对其高科技产业的遏制和掌控，到头来中国不仅解决了芯片产能问题、中高端自研自产的问题，西方多年来垄断的高端芯片市场，也可能被中国创“芯”逐渐瓦解。

最后要说的是，即便我国在半导体领域劈波斩浪、成果累累，我们也不能被短暂的胜利冲昏头脑，脚踏实地、积极适应、不断创新是这个时代变革中最好的姿态！