上海微电子自主的EUV光刻机成了吗？近日公布极紫外辐射发生装置及光刻设备发明。

上海微电子在EUV光刻机领域取得了一些进展，但尚未完全成功研发出成熟的EUV光刻机。

EUV光刻机进展：上海微电子公开了一项名为“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利，该专利涵盖了极紫外辐射发生装置及其在光刻设备中的应用，目的是提供一种极紫外辐射发生装置及光刻设备，用于高效且简便地收集带电粒子以提高收集器镜的使用寿命。这表明上海微电子在EUV光刻机的关键技术方面取得了一定的进展。

与国际先进水平的差距：尽管上海微电子在DUV光刻技术上取得了进展，但与荷兰ASML公司提供的最先进的DUV机械相比，技术水平仍有明显差距。ASML的设备可以在38纳米以下的分辨率下工作，重叠精度达到1.3纳米。此外，DUV技术也不如极超紫外（EUV）技术先进，后者使用的13.5纳米波长的光是DUV的近14倍。

28nm光刻机进展：上海微电子已经成功研制出28nm浸没式光刻机，在年底向市场交付国产第一台SSA/800-10W光刻机设备。这台光刻机的单次曝光就可以直接生产28nm芯片，如果使用套刻精度在1.9nm左右的工作台，在多次曝光下能够实现11nm制程工艺的芯片生产。

综上所述，上海微电子在光刻机领域取得了一定的技术突破，尤其是在DUV光刻技术上，但在EUV光刻机的研发上尚未完全成功，与国际先进水平仍有差距。公司正在积极推进相关技术的研发和产业化进程。