荷兰公司ASML近日宣布，已经开始销售新一代高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻机，这标志着芯片制造技术将迈入1纳米节点的新时代。ASML是全球唯一一家生产EUV光刻机的公司，其设备对半导体行业的发展具有重要意义。

新一代High-NA EUV光刻机的数值孔径从0.33提升至0.55，这使得机器能够打印出更小的特征尺寸，同时提高芯片的晶体管密度。具体来说，新机器可以将最小特征尺寸减少1.7倍，晶体管密度增加2.9倍。这一技术进步将极大地推动芯片性能和能效的提升。

英特尔是首批购买该设备的公司之一，已预订了11台High-NA EUV光刻机，其中第一台已于近期安装完毕。英特尔计划从2025年开始使用这些设备，以期在先进制程技术上赶超台积电（TSMC）和三星代工（Samsung Foundry）。台积电则计划在2028年使用High-NA EUV光刻机进行1.4纳米工艺节点的生产，或在2030年用于1纳米工艺节点的生产。2025年，台积电将开始2纳米工艺的生产，但仍将继续使用第一代EUV光刻机。

然而，英特尔目前面临产量低、财务亏损和股价下跌等问题，甚至被美国道琼斯工业平均指数剔除。为应对挑战，英特尔已将部分3纳米工艺的生产外包给台积电。与此同时，由于美国制裁，中国最大的芯片代工厂中芯国际（SMIC）无法购买任何一代EUV光刻机，只能继续使用较旧的深紫外（DUV）光刻机，这限制了其在7纳米以下节点的生产能力。

ASML的新一代High-NA EUV光刻机的推出，不仅将推动全球半导体行业的技术进步，也将加剧各大芯片制造商之间的竞争。

参考链接:

https://www.phonearena.com/news/tsmc-samsung-foundry-intel-to-own-the-next-gen-of-lithography-machines_id164538