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昨天我们讲了芯片封测行业的龙二：通富微电。从利润、毛利率、ROE等角度看，通富微电都不突出。净利润历史最高的时候也没超过10亿(扣非不到8亿)，毛利率最高不超过18%(收购超微苏州和超微槟城之前不算)，ROE最高也就6.4%。那为什么市场认为它今年利润能够增长5.5倍，动态市盈率能给37倍，PB能给到2.4倍呢？原因主要有两点：

1、通富有个好“亲家”AMD。AMD把80%的封测订单都给了通富，很有可能它最新的HPC高算力芯片MI300也会给通富来封装。AMD作为Intel和英伟达的有力挑战者，有很大的增长潜力。通富也就成了“AMD概念股”。

2、通富是国内唯一能够完成高带宽内存HBM封装的封测企业，已经帮助长鑫存储完成了HBM芯片的试生产，目前正在扩产，年内能够形成年产100万颗HBM2芯片的产能，对应营收5亿，净利2亿。未来1-2年有望独占HBM封装市场(长电等竞争对手进度慢1-2年)，通富有望成为高端存储/封测概念最强阿尔法。

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既然讲了那么多HBM，离上次分析兆易也有不短时间，我们就把存储这个行业再详细梳理一下。在梳理存储行业之前，我们先把整个AI赛道的大逻辑整理和阐述清楚。

和30年前的互联网一样，AI毫无疑问是未来5年、10年甚至30年、50年的巨型赛道。目前AI所处的阶段，相当于是宽带网络普及，普通老百姓开始接受上网，并逐渐成为潮流的阶段。AI一定会不断发展进步，当然AI股票不可能一路向北直接涨到天上去，但反复以后，趋势不会变化。

AI大趋势在行业和公司上主要有3个分支和路线：

1、AIGC、AI应用、大模型

这条路线是最先起来炒作的，包括昆仑万维、万兴科技等第一批妖股。这条路线现在在A股基本上不用关注，因为A股上市企业里面基本还没有能打的大模型和AI应用。港股和一级市场有一些，比如百度、美图、Kimi等等，但也不算特别优秀，而且国外大模型有比较好的付费环境，国内还没有形成。

2、算力线：服务器、HPC、光模块、存储

AIGC起来以后，算力开始紧缺。因为大模型的训练和推理需要海量算力来支撑。这个分支在A股最早炒作的是服务器，包括工业富联、浪潮信息和中科曙光。但算力对于服务器的需求是线性的，算力服务器在所有服务器中的占比并不那么高，所以除了直接给海外大平台厂商代工的工业富联之外，浪潮和中科的增长逻辑都证伪了。至少短时间内还起不来，弹性也不大。

接着市场开始炒作光模块，因为光模块的需求是非线性的。不仅要用更多光模块，而且要用更好的光模块。国内的光模块厂商也确实争气，中际旭创在英伟达阵营，新易盛在非英伟达阵营，都有比第二档高一级别的领先优势。所以光模块的确定性是最强的，虽然看起来好像不便宜，但只要行业不超预期放缓，光模块是算力线最强分支。

现在炒作到了存储，因为算力芯片HPC需要大量的高端存储芯片HBM。本来存储市场正处在一个下行周期，因为算力需求的爆发，一下子从地狱到天堂。HBM首先供不应求，存储大厂产能从中端DDR内存向高端HBM切换，中端DDR4、DDR5也开始缺货，继续传导到利基存储的DDR3、NOR Flash等等，整个存储产业链都开始补库提价，这个进程在未来6-12个月可能加速。

3、国产替代线：芯片、芯片设备、华为产业链

AI起来以后，美意识到了AI的重要性。互联网时代来临以后，美国凭借在高科技领域全球碾压的绝对优势收取全球科技税。科技税代替美元税成为美国霸权的根基。

大约在5年前华为海思崛起，手机主芯片(麒麟、巴龙)、算力(升腾910)、自动驾驶(升腾310、610)已经完全能够挑战美国的顶尖芯片霸主高通、英伟达、特斯拉。华为mate和p系列也在高端手机破局，开始和苹果分庭抗礼。

于是中国芯片和高科技产业受到了全面针对，华为被断供后几乎一蹶不振，中芯国际本来已经下好的EUV订单到不了手，从7nm继续进军5nm、3nm的计划只能另寻他法。

芯片突破已经成为中国在封锁中破局的关键，而突破芯片的关键，又在芯片设备。所以这条线中芯片设备的逻辑是最强最硬的。北方华创作为前后道各种工艺通吃的综合性龙头，确定性是最高的。中微、盛美有希望成为次一级的平台型小龙头。

华为产业链的涉及面则非常之广，因为华为本身就是跨平台、跨产业、跨软硬件的综合性巨头。这里面的机会也非常多。比如所长一直看好的韦尔股份，完全有机会在华为的帮助下和索尼掰一掰手腕。还有镜头模组的双龙欧菲光、舜宇光学，有机会慢慢给大家详细分享。

存储行业在这三个分支中占了后两条。作为算力的中军，存储的受益程度仅次于光模块，可谓算力HPC的左膀右臂。没有高带宽存储和高速率光模块，GPU无用武之地。GPU拖着HMB和光模块量价齐升。

存储行业，尤其是高端存储被韩系、美系和日系垄断，成为我们发展高端科技产业的掣肘，也是仅次于芯片设备的第二大突破点。

加上行业又处在一个从低点暴起的上升周期，可以说政策、概念、业绩一个都不会缺，所以实在没理由不关注和仔细研究。

整个存储行业可以分为RAM和ROM两个大类，或者通俗一点说，分成内存和闪存两个大类。内存的特点是读写速度快，但是不能保存数据，闪存读写速度较慢，但是断电以后能一直保存数据。

闪存是手机里面的说法，因为闪存现在的主流技术是Flash，因此闪存和Flash两个说法可以通用。闪存用在电脑里面作为硬盘使用时，通常又叫做SSD固态硬盘。SSD固态硬盘其实是用了Flash做存储介质，还包括了其它一些控制部分，但不讲究的话，也可以认为SSD固态硬盘就是闪存/Flash。

Flash按照技术路线，又可以分为NAND Flash和NOR Flash两种。其中NAND Flash是绝对主流，NOR Flash是小弟弟，因为NOR Flash的存储容量要比NAND Flash小很多。

但是很多应用场合并不需要NAND Flash那么大的容量，比如TWS耳机的控制芯片、5G基站的控制芯片等，用NOR Flash刚刚好。随着智能设备越来越多，对于NOR Flash的需求也在稳定增加。前面说了，整个存储行业的产能不足，并且往高端产能上移转产能，导致NOR Flash的产能也开始紧张，NOR Flash厂商开始涨价。

而兆易创新就是国内NOR Flash老大，全球NOR Flash老二。除了NOR Flash，兆易创新还自产低端DRAM、SLC NAND等其它类型的利基存储芯片，将会充分受益于利基存储产品的量价齐升。

NAND Flash这块国内的龙头是长江存储。生产NAND Flash的核心技术也是3D堆叠技术，但NAND Flash和HBM内存使用的3D堆叠技术有所不同，3D NAND主要是前道工艺，HBM结合了前道工序和后道封测工序。3D NAND也是通过对Flash的堆叠，在单位面积增加了更大的存储容量。

国内NAND Flash龙头长江存储，在2022年初的时候实现了232层3D NAND量产，在堆叠层数上首次超越海外厂商。但美国也把长存列入实体清单，开始限制其引进先进制程的芯片设备。长存在产品迭代上又被海外大厂三星、美光、西部数据、铠侠等抛在身后。据说长存在研发超过300层的NAND闪存，新品计划在今年下半年上市，再次拉近和NAND Flash国际大厂的距离。

DRAM也就是内存条线，最高端的产品我们昨天详细介绍了，是HBM内存。HBM内存目前已经演进到HBM3/HBM3E阶段，预计明年将会有HBM4产品推出，26年是HBM4E。海力士表示，AI对于算力的需求高速增长，使得HBM内存的迭代周期同步加快，从之前的两年一代加快到一年一代。

和长江存储类似，内存领域国内也有长鑫存储保持对国外大厂的追击态势。HBM内存的核心门槛是2.5D/3D封装技术，之前也被国外代工和封测大厂垄断、美国所封锁。直到最近，长鑫才联合通富微电实现了HBM2的试生产(仍未获官方证实)。与此同时，长存旗下的武汉新芯以及国内另一家DRAM大厂福建晋华，也在寻求HBM的突破。

HBM以下的中端产品，是DDR5和DDR4内存，这是消费类和普通服务器目前所使用的最常规、最大量的内存种类。我们到网上搜内存条，就能搜到一大堆的DDR4，或者更高等级一些的DDR5内存。DDR3及以下的内存条就比较low了，和NOR Flash、SLC NAND等其它存储芯片一起归类到利基，也就是小众市场芯片。

DDR5、DDR4这些内存和HBM内存一样，也需要通过封装、搭配控制芯片和其它部件才能使用。所以很多做DDR5、DDR4封装的厂商也成了A股里的“先进封装概念股”，其中就包括了佰维存储、江波龙等近期走的非常好的牛股。

这些公司的技术含量，远比不上长电、通富这些封测龙头，但是因为DDR5、DDR4这些主流内存产品市场规模仍然巨大，也同样受益于产能转产HBM而带来的供给缺口，以及下游消费电子等行业复苏所带来的需求恢复。因此也是存储这条投资主线上，可以适当关注的一些二三线公司。

明天所长继续给大家讲讲这些投资标的，加深大家对存储这个行业的了解，也帮助大家辨识一些似是而非的热门概念，甄别区分出真的好公司和蹭概念的伪龙头。