2025年内存市场展望与技术趋势分析

思源评车 2024-10-08 13:20:33

芝能智芯出品

TechInsights 发布了一份新的内存报告,对整个技术和市场做了系统的表述,这篇报告对会员是免费的。我们摘录一部分核心观点,供大家去参考。

内存市场特别是DRAM(动态随机存取内存)和NAND闪存领域,在2025年将迎来重大变革。这些变化由多个因素共同驱动,比如全球技术的快速发展,特别是人工智能(AI)的兴起。

Part 1

内存市场的五大期望

2025年,内存市场预计会有显著增长,AI是促进高带宽内存(HBM)和大容量固态硬盘(SSD)需求增长的关键因素。

以下是关于内存市场的五大预测:

● AI带动HBM增长:AI在深度学习和机器学习领域的应用正大幅增加对HBM的需求。

随着AI处理器和数据中心对低延迟和大数据处理的要求越来越高,HBM的销售量预计将增长70%。这将对传统DRAM市场产生重要影响,厂商可能更加倾向于生产HBM,而非普通DRAM。

● AI促进大容量SSD和QLC技术需求:AI对数据存储的需求同样促进了大容量SSD和四级单元(QLC)NAND技术的发展。

尽管QLC写入速度较慢,但其高存储密度和低成本优势非常适合AI工作负载,预计2025年数据中心对NAND的需求将增长超过30%。

● 资本支出向DRAM和HBM倾斜:为了满足AI应用日益增长的需求,内存市场的资本支出正逐渐偏向于DRAM和HBM。

随着厂商扩大产能来应对需求激增,DRAM的资本支出预计增长近20%。不过,这也意味着NAND生产的投资会减少,可能引发未来的供应问题。

● 边缘AI在2026年开始显现影响:边缘AI是指在靠近数据源的地方,如智能手机或个人电脑中实现AI功能。

尽管2025年边缘AI对市场的影响有限,但随着技术的成熟,预计2026年边缘AI设备的需求将显著增加,进一步推高内存市场的需求。

● 数据中心的AI重心延缓了传统服务器的更新:许多企业正将资源集中在提升AI能力上,而不是更新传统服务器。

然而,传统服务器的更新需求最终会出现,这可能导致2025年后DRAM和NAND需求的突然增加。

经过2022年和2023年的低谷后,内存市场正迎来强劲复苏。这次复苏主要得益于AI硬件需求的快速增长,特别是数据中心对HBM和大容量SSD的需求猛增。

2023年,HBM的需求增长了150%,预计2024年将再增长200%,2025年则有望增长70%。这种需求激增不仅推动了DRAM市场的资本支出,还加剧了内存供应的紧张状况。

在NAND市场,AI驱动的大容量SSD需求成为了市场复苏的关键。

2025年,30TB和60TB的高容量SSD因其低能耗和高效的存储能力,正迅速替代传统的机械硬盘。这促使NAND供应商更加关注QLC技术,以提高存储密度并降低成本。

市场复苏明显,但内存市场依然面临供应紧张和投资不足的问题。DRAM的投资主要集中在HBM生产上,而NAND领域的投资不足可能导致未来供应短缺。

同时,随着边缘AI设备的普及,对DRAM和NAND的需求将进一步增加,预计2025年整个内存市场的收入将超过2500亿美元。

Part 2

内存技术展望

内存技术正在快速进步,以适应不断增长的AI和高性能计算需求。以下是2025年内存技术的主要发展趋势:

● DRAM技术的发展:2025年,DRAM技术将重点关注支持AI和高性能计算的HBM、低功耗DDR5(LPDDR5)、图形处理DRAM(GDDR6)及低延迟DRAM(LLDRAM)。

高带宽内存处理技术(如三星的Aquabolt-XL)正引领市场,为AI应用提供更高效的数据处理能力。

更先进的制造工艺也在推动DRAM技术的进步,比如三星和SK海力士正在采用EUV光刻技术,以提高DRAM的微型化程度和性能。

预计到2025年,EUV光刻技术和高介电常数金属栅极(HKMG)工艺的改进将成为DRAM技术的主要发展方向。

● NAND技术的进步:NAND技术的发展重点在于提高存储密度和降低生产成本。由于QLC技术能够提供更高的存储密度,它正逐渐成为数据中心存储的首选方案。

随着AI需求的增长,供应商正加快研发1Tb以上高密度NAND芯片,以满足市场对高容量SSD的需求。

CXL-PNM(Compute Express Link-Processing Near Memory)技术的出现为NAND和DRAM的集成应用提供了新机遇,增强了内存技术在AI和边缘计算领域的应用潜力。

内存市场需求的回暖,2025年的供应链将面临新的考验。特别是HBM的需求增加可能导致传统DRAM供应减少,制造商需增加产能投资以缓解供需不平衡的压力。

预计到2025年,内存产品的交付时间将会延长,尤其是在HBM和大容量SSD领域。供应链管理将成为确保市场稳定的重要环节,特别是在AI和边缘计算需求持续增长的情况下。制造商需与客户紧密协作,保证供应链的顺畅运行。

2025年,内存价格预计呈现上升趋势,尤其在高性能内存领域。随着AI和边缘计算需求的增加,HBM、DDR5和大容量SSD的价格将继续攀升。

不过,由于成本效益较高,QLC NAND可能会成为企业和数据中心的首选,从而使NAND价格保持相对稳定。

内存市场价格的波动将受到供应链紧张和技术革新的双重影响。制造商不仅要提升技术水平,还要确保产能的稳步增长,以满足市场需求。

小结

2025年,内存市场将在AI、边缘计算和数据中心需求的推动下实现显著增长。市场前景光明,但内存供应紧张和资本支出不平衡仍是挑战,内存市场将持续演变!

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