近日,美国存储芯片巨头美光宣布其第九代(G9)TLC NAND SSD开始量产,这种G9 NAND具有3.6 GB/s的传输速度,存储密度最高提高73%,采用的是276层3D堆叠技术。
事实上,不只是美光,三星近日也宣布,开始量产四层单元(QLC)第九代V-NAND,采用的是290层堆叠技术。
SK海力士则已经展示了其321层堆叠闪存产品,并表示在2025年,要实现400+层产品的研发。
可能大家并不清楚,对于NAND这种存储芯片而言,不能一味的提升制程工艺,因为当工艺进入18nm之后,越是微缩,那么越不稳定,所以大家提高存储密度,提升技术,不是从18nm变10nm、7nm等,而是加大堆叠的层数。
从最开始的32层,到64层,再到128层,232层……再到如今的300层、400层等等,这个就是各大厂商们的技术路线。
国内存储芯片相比于美国、韩国,起步晚,在2016年的时候,国内存储芯片产能为0,就是100%靠进口。
后来国内有了长存、长鑫、晋华,其中晋华被美光等起诉,基本处于停滞,也就是长存、长鑫在努力了,长存主攻NAND闪存,长鑫主攻DRAM内存。
其中长存自研了晶栈(Xtacking)技术,在2022年成为全球首家量产232层 3D NAND闪存的厂商,比美光、三星、SK海力士都先进一些。
不曾想,马上在2022年底,就迎来了美国的打压,美国限制全球半导体设备厂商,将先进设备卖给长存,限制其232层闪存的生产,免得国产存储成长太快,抢走了美光、三星等的份额。
本来领先的时间窗口就不长,限制长存,自然让三星、SK海力士、美光等迅速追了来,后来这三大巨头,也是迅速推出了232层的3D NAND闪存。
然后从2022年到2024年,这三大巨头,不仅推出了232层闪存,如今更是又前进一步,推出达到300层堆叠技术去了。
而长存呢,因为设备被限制,无法从海外进口先进的设备了,而技术要想前进,只能和国产供应链一起,进行国产突破和替代。
可以说,看到这样的消息,真的是气愤,如果不是被打压,国产3D NAND闪存,不仅技术不输给国际巨头,并且肯定已经拿到了众多的份额,足以和美光、三星、SK海力士们在同一竞技场上PK了。
无所谓了,这种照抄作业的想超过原创基本不可能,小手段只会让原创突然爆发,反应都来不及。