早在5月，作为光刻扫描仪领域的领导者ASML就谈到了到下一个十年开始，允许以0.75（Hyper-NA EUV）的超高数值孔径值工作的系统出现的前景。Imec代表声称，在未来十年中，光刻技术不会摆脱激光和硅的使用。

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在接受EE Times采访时，Imec高级项目总监Kurt Ronse分享了他对此的看法。这家比利时公司30多年来一直在帮助ASML掌握光刻扫描仪开发的新技术，因此它完全有权谈论其进一步发展的前景。随着机器制造商准备转向具有高 （0.55） 数值孔径值 （High-NA EUV） 的光刻扫描仪，设备制造商已经面临着一些挑战。

特别是，在数值孔径的这个值下，光的偏振已经开始显现出来，降低了投射在硅晶圆上的图像的对比度。偏振滤光片可用于对抗它，但它们会增加设备的能耗和生产成本。正如Imec代表所解释的那样，当切换到Hyper-NA EUV时，问题将是寻找新的光阻材料，因为即使数值孔径值为0.55，其层的厚度也会减小，这恶化了后续化学蚀刻的准确性。

根据Kurt Ronze的说法，台积电并不急于改用高数值孔径EUV，因为该公司在多种光掩模方面拥有丰富的经验。英特尔没有足够的此类经验，因此更愿意简单地切换到具有更高分辨率的更昂贵的设备。使用双重模板需要更准确地定位照片蒙版，而英特尔在这方面根本没有足够的经验。据Imec发言人称，台积电将决定在本十年末转向高数值孔径EUV。

通常，此类设备将用于使用薄于 2 nm 的光刻标准生产芯片 - 最高 7 埃。之后，您将需要使用超高数值孔径光刻扫描仪（Hyper-NA EUV）。这种过渡将使放弃双模板成为可能，因为后一种方法增加了模具成本并延长了生产周期，从而增加了生产成本。

根据Imec的说法，研究人员考虑了几种具有超高数值孔径值的光刻设备的替代方案。其中之一是纳米打印晶体管技术，但就其性能而言，这种方法甚至远不如高数值孔径EUV扫描仪。另一种选择是使用多个定向电子流在硅晶圆上形成所需的图案，但唯一合适的设备制造商破产了。

正如Imec的代表所解释的那样，使用新材料代替硅仍然很困难。有些材料具有更高的电子迁移率，但它们很难沉积在将继续是硅的晶圆上。应用新材料的设备将与新化学品相结合，实验室已经在进行实验，但距离大规模使用还很远。