推挽电路由两个MOS 管组成，一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管。这两个MOS 管连接在一起，形成一个推挽结构。在工作时，当输入信号为高电平时，N沟道MOS管导通，P沟道MOS管截止;当输入信号为低电平时，N沟道MOS 管截止，P沟道MOS管导通。MOS 推挽电路通过这种方式，可以实现信号的放大和驱动负载的功能。

推挽电路是通过两个互补型MOS 管的交替工作，将输入信号转换为输出信号。其中，一个MOS 管作为负载管，负责输出电流，另一个MOS 管则作为驱动管，负责控制输出电流的流向。

使用推挽电路就是为了解决MOS管的驱动能力不足及受mos管特性限制的问题。

那么在MOS管使用推挽电路时，为什么要考虑电流大小呢？

首先，当某些IC或CPU的电流较小，MOS管的驱动能力不足时。推挽电路通过使用一对三极管轮流导通，可以有效地增加驱动能力，从而放大电流。

除此之外，还要考虑MOS管的特性。MOS管虽然是压控型器件，但其导通和关断速度很容易受到输入电容的影响。当驱动电流较小时，MOS管的输入电容CGS（C2）和CGD（C1）的充放电速度会变慢。这时通过推挽电路可以直接绕过mos管的限制，提高电路的响应速度和效率。

而为了确保MOS管在推挽电路中能够安全、高效地工作。在设计推挽电路时，需要根据MOS管的最大持续漏极电流（ID）、最大耗散功率（PD）以及栅源电压范围（VGS）等因素进行精确的电流计算和电路设计。

因此，MOS管在使用推挽电路时考虑电流大小，是为了确保电路的稳定性和可靠性。