这几年美方对我国半导体产业进行了多轮打压，从光刻机设备出口管制，到芯片代工限制，再到通信基站的停止采购，美方的打压可以说是“不遗余力”的。

即便如此，我国半导体厂商仍然加大研发投入，实现了半导体技术的突破，更实现了芯片工艺的升级。为此，有外媒表示:半导体限制已经失效了。

都知道这几年我国半导体产业发展迅猛，但这种“速度”让美方感到惊恐，为此，美方拉拢日荷组成三方联盟，限制向我国出售先进的半导体设备。

而美光也游说美国政府，对我国存储芯片进行打压，这让长鑫存储、长江存储业务受损。

在先进芯片方面，美方也限制三星、台积电等厂商给华为代工麒麟芯片，这让国产芯片市场份额降低。

由此可见，美方对“中国芯”的打压是全方面的。不过近段时间我国半导体产业状况出现多次反转，这让美方也是没有料到的。

第一个反转:2024年前8个月，我国生产了2845亿颗芯片，创造历史最好成绩

近日，我国统计局公布了2024年8月份和前8个月的芯片生产数据。其中今年8月份我国生产了372.9亿颗集成电路(芯片)，同比增长了17.8%。而今年1-8月，我国集成电路生产总数达到2845.1亿颗，更是同比增长了26.6%。

按照2845.1亿颗计算，前8个月我国平均每天生产了12亿颗芯片，创造了有史以来最好的成绩。在美方持续打压我国半导体产业多年后，我国芯片产能打破记录，这个反转不可谓不大。

其实这早有预兆，毕竟去年华为8月份就推出了麒麟9000S芯片，而今年3月份华为又推出了麒麟9010芯片。这两款芯片都是内地自研自产芯片，是100%内地生产。由此可见，我国芯片生产已经打破国外限制，实现了独立自主化。

第二个反转:工信部公布了65nm氟化氩光刻机，我国半导体设备工艺显著提高

前几天工信部发布《首台重大技术装备推广应用指导目录(2024年版）》，这份目录公布了两款国产光刻机。一款是照明波长248nm、分辨率≤110nm的氟化氪光刻机。这款光刻机工艺水准一般，还不如上海微电子的600系列光刻机。

而另一款氟化氩光刻机就不一样了，这款光刻机照明波长达到193nm，已经是DUV光刻机范畴。并且这款光刻机分辨率≤65nm，套刻≤8nm。

按照这个参数，这款氟化氩光刻机理论上可以生产8nm芯片。按照套刻比例1:3计算，这款光刻机可以生产28nm芯片。

不过由于曝光成本的缘故，这款光刻机量产28nm芯片的经济价值非常小，良品率也低，因此这款光刻机并不能量产28nm芯片。所以这款光刻机是一款65nm的DUV光刻机，和全球领先的ASML生产的光刻机落后20年。

虽然这款氟化氩光刻机和ASML光刻机有不小的差距，但和我国之前的光刻机相比已经是巨大的飞跃。

特别是全球仅有荷兰的ASML，日本的尼康、佳能能生产DUV光刻机，而这款氟化氩光刻机的出现打破了这个垄断，我国半导体设备厂商已经成为第四家。

可以说美方拉拢日荷对我国半导体设备进行打压，这不仅没有让我国光刻机发展停滞不前，反而是大大加快了我国半导体设备发展进程这种反转让美方没有料到。

第三个反转:国内芯片公司开始转向国产半导体设备供应商，逐渐摆脱国外半导体设备依赖国产化率大大提升

近日，有国内媒体报道，国内存储芯片巨头长江存储已经开始转向国内半导体设备供应商。其中就有蚀刻设备的中微电子，有沉积设备的拓荆科技，以及二者兼得的北方伟创。

长江存储是国内存储芯片的先行者，它成立于2016年，是一家集设备、生产、封装于一体存储芯片公司。

早期的长江存储比较依赖国外的半导体设备，毕竟国外半导体设备发展时间早、技术积累深厚、工艺更加先进、产品更为成熟，因此长江存储采购国外半导体设备也是情理之中的事情。

但这些年以美日荷为首的三方联盟对半导体设备进行出口管制，这让我国半导体厂商获取先进半导体设备的难度大大提升。

只不过三方联盟这样做却让我国半导体设备厂商更加注重自研技术，实现了半导体设备技术的多项突破。

现如今我国的蚀刻设备、沉积设备已经达到全球主流水平，完全可以替代国外蚀刻设备、沉积设备，这也是长江存储转向国内半导体设备供应商的重要原因。

也许美方也没有料到，自己的打压不仅加快了我国半导体设备的发展，更让我国芯片公司开始使用国产半导体设备，实现了良性循环。

写在最后

美方拉拢日荷组成三方联盟，对我国半导体产业发展，但美方没有料到他们的打压让我国半导体产业实现多项反转。

现如今我国芯片产能大幅度提升，平均每天生产12亿颗芯片。并且我国也有了65nm分辨率的DUV光刻机，光刻机工艺水准大大提升。而国产芯片厂商也开始替换国外半导体设备，使用国产半导体设备，这让我国半导体产业实现良性循环。

由此可见，美方对“中国芯”的打压已经没有作用，只会加快我国半导体产业发展进程。正因为如此，有外媒才表示:美方的半导体限制已经失去效果了。