由于QLC企业级固态硬盘销售状况良好，Solidigm在大连晶圆厂将在一段时间内延续FG（浮动栅极，Floating Gate）NAND闪存工艺，并获得新的设备投资。

Solidigm大连晶圆厂目前主要生产192层FG结构NAND闪存，贡献SK海力士整体闪存生产能力的约三成。

一个NAND单元存储的二进制数据是“0”还是“1”，取决于其含有的电荷多寡。

而在如何存储电荷这一核心问题上，现有NAND大致可划分为FG和CT（电荷捕获 / 电荷阱，Charge Trap）两种流派。

随着3D NAND闪存的发展，临近干扰效应更低的CT结构逐渐取代在2D NAND时代占据主流的FG。

不过FG结构也具有其独特优势，更适合每单元比特数更高的QLC NAND闪存。

目前还在主流产品中使用FG结构的大型NAND制造商仅有Solidigm，这意味着Solidigm与母公司 SK海力士采用不同路线，开发成本较高。

此前有业界声音认为SK海力士将把Solidigm迁移至CT阵营。

不过随着AI服务器的旺盛需求，单盘容量更大、价格更低的QLC NAND逐渐成为业界焦点，Solidigm业绩因此转好。

在此背景下SK海力士没有推动Solidigm大连工厂调整技术路线的动力，而是将增加对该工厂的投资，以加速PLC NAND闪存与128TB企业级固态硬盘的开发。