“光刻机图纸给你们也造不出来！”这是早期我国科研人员为填补芯片技术空白前往ASML表达完我们的见解后得到的回应！让我们备受羞辱的光刻机到底是什么？到底有多难？难道没有ASML的光刻机不行吗？

光刻机是制造芯片的工业母机，工业领域极为精密的设备，它被誉为数字时代的发动机。而用于制造7nm、5nm等先进工艺芯片所用到的EUV光刻机，一台设备重达十余吨，零部件上百万个，来自全球5000多家供应商，涉及物理、化学、机械、光学等多项学科顶级技术。

由于世界上能制造光刻机的企业屈指可数，制造EUV光刻机的企业只有荷兰ASML，这也导致EUV光刻机的价格高达1亿多美金/台，由于懂得都懂的原因，即便如此我们还买不到！可恨不！

不过任何事情都有两面性，荷兰专家的讽刺不仅让我们明白核心技术是买不来的，同时也彻底激发了中国科研人员的研发斗志，立志为中国新崛起而反击！在我国的大力扶持之下，芯片产业链各环节企业分工明确，不管是中科院等科研机构还是科技企业，各团队与时间展开了赛跑。

如今不仅在光源、双工件台、光刻胶、蚀刻机、物镜等核心系统方面解决了一个又一个的难题，更是在芯片制造底层技术方面获得了重大突破！

复旦大学官宣新技术

据复旦大学微电子学院官方公告称，该学院教授周鹏、研究员包文中及信息科学与工程学院研究员万景团队将二维原子晶体管引入传统硅基芯片制造流程，成功研制出了性能出色的晶圆级异质CFET技术，也叫三维叠层互补晶体管技术，该技术可以绕过EUV光刻机。

众所周知，晶体管的数量决定着芯片的性能、能效表现，晶体管数量越多，芯片的性能也就越强，能效表现也越出色。更先进的光刻机就是通过提升光刻精度缩小晶体管的尺寸，让更多的晶体管集成到一颗芯片上。

CFET与FIN、FinFET、GAA晶体管技术其实属于一类概念，都是通过升级晶体管技术提升芯片的综合表现，但CFET又有所不同，这种技术是利用传统集成电路的制造技术，将二硫化钼(MoS2)三维堆叠在传统的硅基芯片上，形成p型硅-n型二硫化钼的异质CFET结构。简单来说就是将以前的二维晶体技术进行堆叠，从而实现晶体管密度翻倍的效果，为芯片带来更优越的性能。

或许有人认为这是鼓吹，但复旦大学已经就该技术进行了反复验证，并且已经发表在了科学杂志《自然》上，其权威性可想而知。如果这种技术投入国内芯片生产线，14nm基本就能满足市场对所有芯片的需求。

垄断必然会迎来反抗

作为全球制造EUV光刻机的唯一企业，当ASML形成行业垄断，甚至无法自由出货，外加上芯片工艺逼近物理极限，各方都在加大自主研发，另辟蹊径降低对ASML及EUV光刻机的依赖。重要的是中国人有一个非常厉害的“被动技能”，触发的方式就是“断供、禁用”。

因为制造芯片、制造光刻机所用到的原理就在那里，我国又是经济大国，用于科研的投入仅次于美国，更重要的是我国不缺少聪明、敢于用热血奋战、冲锋的科研人员！

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