芯片，承载着全球数字化发展的重要任务，小到电子手环，大到航空航天，都需要芯片进行驱动。谁能掌握制造芯片的先进技术，谁就会成为这个数字时代的大赢家。

芯片制造领域，台积电、三星是全球代工工艺最先进的两大翘楚，均实现了对4nm工艺芯片的量产。不过，如果没有EUV光刻机的支持，不管是台积电还是三星，均无法实现对7nm、5nm、4nm等高端芯片的量产。

提到EUV光刻机，那就绕不开荷兰ASML，这是目前全球唯一一家能生产EUV光刻机的企业。但可惜的是，即便ASML能生产EUV光刻机，但自主化技术只有10%左右，剩余90%的技术都依赖于全球产业链，尤其在光源等环节采用了美国的技术。由于《瓦森纳协议》等规则的影响，ASML的EUV光刻机从始至终无法进入大陆市场，这也让EUV光刻机成了阻碍国产芯片崛起的一大“藩篱”。

众所周知，EUV光刻机制造难度极其复杂，一台重达数十吨，零部件高达10万多个，涉及到了尖端物理、化学、光学学科，在精密仪器行业有着“人类智慧结晶”的称谓，但就是这么不可一世的设备，却让外媒宣称：EUV光刻机的时代已经过去了！这到底是怎么回事呢？

其实从ASML出货受限、不断升级的相关禁令，外加上光刻机精度逼近物理极限，为延续摩尔定律，许多地区都开始另辟蹊径，摆脱对EUV光刻机的依赖与束缚。

首先，先进封装工艺提升芯片的性能。在这方面，苹果的M1 ultra很好地打了一个样，通过将两颗M1 Max芯片粘在一起，让M1 Max的性能远远超出了下一代的M2。而华为所公布的芯片专利堆叠技术，通富微电的5nm芯粒技术，台积电联合三星、SK海力士等企业所组成的“3D  Fabric”，都是通过先进封装工艺打造下一代计算平台，实现性能上的提升。

其次，ASML并非没有竞争对手，在DUV市场，日本佳能、尼康都有一定的市场份额，而且还有ASML所不具备的优势，技术自主可控，不容易受到长臂管辖。去年，佳能、铠侠联合公布了自己的纳米压印微影技术NIL，如今佳能正在开发NIL的升级版。这一技术不仅能量产5nm工艺芯片，同时成本比EUV光刻机降低了40%，而且更绿色环保，据悉2025年即可落地投入生产线。此外尼康的NSR-S636E ArF 浸入式光刻机，也可以实现对5nm工艺芯片的量产，重点是2023年就将投入销售，对于ASML来说，自家EUV光刻机垄断的时间不多了。

另外，美企美光也通过多次曝光、先进材料、先进工艺的方式打造出了美光1β工艺，不管是存储密度、性能、功耗都有了进一步的改善。而受到限制的俄市场，其本地研究所也投身其中，正在研发“X光射线光刻机”。

重要的是，在芯片生产环节，我国也已经准备“换道超车”，尤其是我国的光子芯片生产线将于2023年在京建成，由于光子高速、低电阻的特性，光子芯片的性能将达到传统芯片的1000倍，功耗也仅有万分之一，而且成本依旧是二代半导体材料，更低的成本、更强的性能、更低的碳排放，是取代EUV光刻机的重要突破口。

从各大芯片企业的转向可以预见的是，EUV光刻机并非打造高端芯片的唯一途径，而且站在成本、环保、技术垄断的角度来看也不是最佳的选择。正是如此，所以就有了外媒口中的：“EUV光刻机时代已经过去了”！

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