之前VBsemi发表过两篇假冒伪劣声明，事情源于客户反映MOS管有烧毁击穿情况，但产品并非VBsemi正品，由于质量问题，导致在使用过程中出现了烧毁的情况。

那么，除了假冒伪劣产品，在质量方面会导致MOS管产生击穿烧毁的情况以外，在日常的一些操作中，也会导致MOS管的烧毁失效。

MOS管烧毁常见有四种情况：过压、过流、静电、发热损坏。

过压：当VDS、VGS过大时，超过了其本身的额定电压，并且达到了击穿电压。

过流：持续性的大电流或者瞬间大电流，超过了MOS管所能承受的最大值。如果电流非常高且散热不良，则 mos 管可能会因温升过高而损坏。

静电：MOS管本身属于ESD敏感器件，加上自身的输入阻抗很高与结电容的存在，当外界有电磁场或者静电干扰时，就会积累电荷，当积累到一定程度后，电压的升高会导致管子损坏。与此同时如果难以泄放静电时就容易导致击穿，电压瞬间升高也会带来短暂的大电流，MOS管无法很好的散热，导致击穿烧毁。

发热损坏：由于超过SOA安全区域而引起的发热，主要分为直流功率和瞬态功率。

直流功率原因：导通电阻Rds（on）损耗，高温室该阻值会增大，在一定的电流下会产生过高的热量

瞬态功率原因：负载出现短路