在半导体制造领域，光刻技术一直是推动科技进步的关键驱动力。近日，俄罗斯传出令人瞩目的消息，其正在自主研发的极紫外光刻机（EUV）曝光光源波长设定为11.2纳米，这一创新技术的突破，预示着在微纳米级精密制造领域，俄罗斯可能将打开新的局面。

尽管11.2纳米的波长仍属于EUV的范畴，但这一调整并非微小的改变。它要求整个光刻系统的每一个组成部分，包括反射镜、光学涂层、光罩设计，以及光阻剂，都需要针对新的波长进行深度的重新设计和优化。此外，镭射光源、光阻化学、污染控制等关键技术环节，也需要适应新的波长进行重新构建，以确保在11.2纳米的光源下，整个光刻过程的稳定和高效。

值得一提的是，由于华为Mate70新机的曝光，导致华为Mate60价格持续走低。据百度报道，华为Mate60在“拍易得官网”最新一期的活动中成交价仅137元，创下了该机上市以来的价格新低。

  值得注意的是，以11.2纳米为基础的光刻机并不直接兼容现有的以13.5纳米为基础的EUV系统。这意味着，从硬件到软件，从光学元件到电子设计自动化（EDA）工具，都需要进行相应的调整和升级。特别是EDA工具，虽然在逻辑合成、布局和路由等基本设计步骤上可能无大碍，但在关键的曝光制程，如光罩数据准备、光学邻近校正（OPC）和解析度增强技术（RET）上，需要重新校准或开发适应11.2纳米的新模型。

  据报道，这款俄罗斯自研的EUV光刻机的研发将分为三个阶段。初期阶段将着重于基础研究，识别关键技术并进行初步元件测试。接下来的阶段，将研发出一款原型机，它能够每小时处理60片200毫米的晶圆，并且计划将其整合到国内的芯片生产线上。最终，目标是开发出一套适用于大规模生产的系统，能够在每小时内处理60片300毫米的晶圆。然而，目前关于这些新曝光工具将支持的制程技术细节，以及各阶段的完成时间表，尚未对外公布。  这项技术的突破，无疑预示着俄罗斯在半导体制造领域可能将迈出重要的一步，为全球光刻技术的发展注入新的活力。然而，从研发到实际应用，还有许多技术和工程挑战需要克服。整个业界都在密切关注这一进程，期待这一创新能为全球半导体产业带来新的突破和变革。