“中国不是设计不出优秀的芯片，只是国内企业造不出来罢了！”华为被制裁后，任正非道出了“中国芯”的困境。正如任正非所言，我国拥有一大批优秀的芯片设计企业，技术达到了世界领先水平，如华为海思曾设计的麒麟9000芯片，技术领先高通半年之久，但由于老美芯片禁令的出台，台积电的“落井下石”，麒麟芯片在相当一段时间内成为了“绝唱”。

其实，国内芯片制造企业所掌握的芯片制造技术，并不比台积电、三星、英特尔差，但由于制造高端芯片的EUV光刻机被卡了脖子，只能是“巧妇难为无米之炊”。在EUV光刻机领域，荷兰ASML公司全球市场份额高达100％，掌握着绝对的话语权，同时也是老美打压他国高新技术企业的一种“工具”。但让拜登做梦都没想到的是，ASML所掌握的EUV技术迎来了挑战。

对光刻机有一定了解朋友都知道，光刻机领域的话语权最早是由GCA、优特、珀金埃尔默美企三巨头主导，后来被日本“光刻机双雄”尼康和佳能接管，由于日本在老美的逼迫下签订“广场协议”，核心技术大量流失，最终被ASML公司捡了便宜，成为新光刻机霸主。据媒体报道的信息显示，ASML公司之所以能够成为新光刻机霸主，主要是答应了英特尔牵头成立的EUV研发联盟，获得EUV技术独享权。

ASML凭借着技术，在短时间内横扫尼康和佳能，一举拿下全球光刻机市场80%左右的市场份额，垄断EUV光刻机市场，台积电、三星、英特尔等芯片制造巨头为拿下更多的光刻机，曾多次主动抬升价格。

成为新光刻机霸主后，ASML对老美言听计从，不仅单方面毁掉与中芯国际签订的EUV光刻机采购合同，还与美日签订“三方协议”，加强对大陆企业的光刻机出口管控，妄图将国产芯片“锁死”在14nm，阻挠我国科技的崛起。可以说，ASML公司就是老美手中一把非常锋利的刀。

然而，让所有人没想到的是，ASML的光刻机霸权正在凋零！

首先，High-NA EUV光刻机遇冷

High-NA EUV光刻机虽然能够用于2nm及以下制程工艺芯片的制造，但3.5亿欧元的价格吓退了不少用户，如台积电，明确表示High-NA EUV光刻机技术很先进，未来几年都用不上，2028年才会考虑购买。目前，只有英特尔、三星各自采购了一台High-NA EUV光刻机。

其次，日本掌握EUV光源替代技术

虽然尼康和佳能被老美赶下了光刻机霸主的宝座，但并未沉沦，一直在不计成本的研发新的光刻机技术，且取得了不错的成绩。目前，尼康研发的浸润式DUV光刻机可以实现5nm芯片的量产，佳能研发的NIL纳米压印光刻技术将在2025年实现2nm级别芯片的量产，且成本相较于ASML公司EUV光刻机低了10倍。

更让ASML公司担忧的是，日本在近日正式对外宣布，高能加速器研发组织掌握了一种新的光刻机光源技术：利用粒子加速器实现更短的EUV光源波长，成本降低数倍！为了应对EUV替代技术出现所带来的危机，ASML紧急宣布计划在2030年推出更高端的Hyper-NA EUV，并声称High-NA EUV是最后的EUV。

鹬蚌相争，渔翁得利！日本与荷兰为了争夺光刻机行业的话语权，必将会争取一切可以争取的客户，甚至有可能学习高通、英伟达等美企的做法，绕过“三方协议”，加强与大陆企业的合作。

当然了，国产芯片的发展，不能将希望寄托于任何人，只有我们掌握了核心技术，才能彻底解决被卡脖子的风险，在这个百年大变局中，屹立不倒！