先来简单了解MOS管的输入电阻和静电击穿
输入电阻
指的是在栅源之间，当栅极电压变化时，源极电流的变化率。MOS管的输入电阻通常很高，具有很高的绝缘性能，这意味着只有极小的漏电流通过栅极。不过这种高电阻可以减小控制电路的功耗，让它可以作为信号放大器的输入级以及开关使用。
静电击穿
由于静电的积累导致电压超过了原本MOS的绝缘能力，导致电流突然增大的现象。
一般静电击穿有两种：
一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。
那么，回到问题本身，为什么MOS管的输入电阻很高，但是一遇到静电就不行了？
MOS管的输入电阻很高，某种程度上也意味着它对输入信号的电流是非常敏感的。
我们知道MOS管是一个ESD敏感器件，由于本身的高输入电阻再加上栅-源极间的电容非常小，导致它极易受外界电磁场或静电的感应而带电，当静电或外界电磁场作用于MOS管时，就会在极间电容上形成电荷，导致极间电容的电压升高。
由于输入电阻很高，这些电荷无法通过输入端得到很好地泄漏，于是电压在极间电容上积累，可能会引起静电击穿甚至有损坏MOS管的风险。
上面我们有提到一个点，也就是MOS管的工作环境，在静电场较强的环境中，空气中的离子和电荷会较多，从而增大了增加静电的积累和放电的可能性，也就进一步增加了MOS管受到静电损坏的风险。
为了保护MOS管免受静电损坏，可以采取以下措施：
MOS管的栅极接地：栅极接到一个固定的电位，避免其悬空；
并联电阻：并联一个电阻在Vgs之间，起到一个放电电阻，释放电荷的作用；
3. 放置稳压二极管：在Vgs之间放置稳压二极管，受外部静电或或引起高压损坏的可能性。
此外，器件本身的性能也是十分重要的。 静电放电产生的短时大电流，其脉冲时间常数远小于器件散热的时间常数。因此，当这样的电流通过面积较小的pn结或者肖特基结时，就会瞬间产生高功率密度，导致局部过热，甚至可能局部结温升高超过材料的原本的温度，导致结区局部或多处熔化，引发pn结短路，随后器件完全失效。
这种失效的发生与否，主要取决于器件内部区域的功率密度，功率密度越小，器件越不容易受损。因此，选择功率密度小和防静电效果比较好的优质MOS管器件更有利于防止击穿的风险。
在这里我们推荐微碧VBsemi的MOS管,它能更好地防止器件应用时遇到的静电击穿问题，有效减少器件损坏的风险。
微碧VBsmei的MOS管优点：
低功耗：静态功耗较低，适合用于需要长时间运行的电路；
高速度：开关速度非常快，能够满足高速电路的需求；
可控性强：MOS管的漏极电流能够通过调节栅极电压来控制，具备很好的可控性；
高稳定性：MOS管的栅氧化物层具备良好的电气性能，有着较高的稳定性和可靠性。
