新一代Blackwell GPU出货延迟，引发近期市场疑虑，无论从HBM单颗die容量或GPU搭载HBM总容量来看，将消耗三大原厂更大量的位元产能，2025年势必将延续大幅增长动能。

然而终端市场需求疲弱不振，近期主流DRAM及NAND现货价格几乎全面下滑，第3季复苏期待已然幻灭，部分业界开始担忧存储器价格可能从2025年第1季开始提早走跌。

尽管Blackwell延后第4季度开始出货，Hopper需求依然强劲，NVIDIA在外界一片失落声中，仍表示未来2个季度的总出货量将持续增长。

市场预期Hopper GPU（H100/H200）订单分配量可望上修，延续到2025年的总量可望增长3成以上。

从产品路线图来看，Blackwell的B200搭载8颗8层HBM3E，总容量达到192GB，比前一代的H200搭载141GB容量提升了36%，HBM3E单颗容量为24Gb，也比HBM3的16Gb提升50%。

相较于B200主要供应给云端服务供应商（CSP），另一款轻量版的B200A搭载4颗HBM3E，采取12层堆叠规格，预计2025年第2季导入量产，存储容量也达到144GB，未来B200A可望接替H200的路线。

换言之，Hopper GPU出货力道不减，短期内对HBM影响程度有限，而无论是高阶B200或轻量版B200A，2025年对于HBM需求仍是有增无减。

2025年下半登场的HBM4，则被视为下一个重要的技术转折点，堆叠层数将达到16层，单颗芯片的堆叠容量也将增加至64GB。

虽然HBM发展趋势明确，但存储产业并不是晴朗无云。

由于上游原厂策略性倾注发展高附加价值的DDR5及HBM，产能排挤效应下，驱使合约市场价格向上攀高。

对比终端市场的买气冷飕飕，现货市场价格在8月底几乎全面走跌，仅有DDR5勉强维持小幅增长或持平。

DDR5价格维持高位，除受惠于整体市场渗透率提升，服务器搭载需求也随之增长。

毕竟HBM价格太高，DDR5作为服务器提升算力的重要环节，价格走势易涨难跌；

DDR4现货价7月仍维持4%涨幅，到了8月却普遍回跌3.5%左右。

Flash Wafer现货价格8月中旬后出现小幅下滑。

Flash Wafer 512Gb TLC价格，从第2季高点4.2美元开始下跌，8月底价格从4.0降至3.80美元，单月跌幅约5%。

256Gb TLC也快速下滑至1.6美元，比7月底的跌幅已达15.78%，1Tb QLC近二周下滑约3%。

从8月现货价格下滑走势，反映出市场对于第3季需求回温的期待已经梦碎，尽管市场进入传统旺季，然而需求不如预期强劲，OEM客户的库存量充足，导致现货市场价格不得不降价求售。

在嵌入式市场部分，小容量产品价格跌无可跌，上游原厂针对手机客户制定特殊订单方案，提供弹性议价的空间，导致嵌入式价格呈现松动，整体手机厂商已建立安全库存，短期内备货需求趋缓。

至于PC OEM传出库存水位相对较高，客户拉货动能不足，对谈价意愿不强，下半年必须消耗库存，去化速度将观察第4季传统旺季的销售表现。